磷砷化镓包覆材料在砷化镓衬底上的外延生长

摘要

一种半导体器件制造方法，其中，在生长工艺之后进行覆盖工艺，在所述覆盖工艺中，将含荧光体材料覆盖层沉积在最终的基于GaAs的层上。能够从反应室中移出容纳许多此类衬底的晶片，以在以后的时间继续处理而无需在最终的基于GaAs的层上产生氧化层。在连续处理中，分解工艺选择性地分解含荧光体材料覆盖层，此后进行再生长工艺以生长所述器件结构的其它层。在器件制造期间，所述覆盖工艺、分解工艺和再生长工艺能够在晶片上的半导体器件上重复多次。