一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法

摘要

本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si2N2O层和位于(Al,In)GaN基板与Si2N2O层之间的Ga2O3层；(Al,In)GaN为GaN、Al1‑mGamN、In1‑mGamN或AlnIn1‑m‑nGamN，0＜m≤1，0≤n＜1。本发明有效降低界面态密度，有利于解决长期困扰III族氮化物(III‑N)体系的界面态问题，推动III‑N电子器件的规模化和实用化。