机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:新型2D结构材料:碳氮化镓(CC-GaN)和硼氮化镓(BN-GaN)异质结构-通过密度泛函理论进行材料设计
机译:从头开始研究氮化锶镓三元系Sr_3GaN_3和Sr_6GaN_5:光电子的有前途的材料
机译:准四方氮化硼初始结构态对wBN基材料颗粒结构形成的影响。二。基于各种类型的wBN的材料样品微观结构形成中的结构转变
机译:多模氮化镓/氮化铝(GaN / ALN)异质结构串谐振器的温度依赖性
机译:掺铒氮化镓/铟氮化镓材料的光学和结构性能和通过金属有机化学气相沉积合成的装置
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:2D材料的表面清洁:氮化硼纳米片(BNNS)和剥落的石墨纳米片(GNP)
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。