Fabrication and Characterization of Vertical Gallium Nitride Power Schottky Diodes on Bulk GaN Substrates FY2016.

著录项

• 作者

  Zhao, B. H.; Derenge, M. A.; Graziano, M. B.; Tompkins, R. P.;

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• 作者单位

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• 年度 2016
• 页码 1-20
• 总页数 20
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Metal-semiconductor junctions; Power electronics; Schottky diodes; Gallium nitrides; Electron beams; Single crystals; Electron mobility; Fabrication; Substrates; Ammonothermal; I-v curve measurements;

  机译：金属 - 半导体结;电力电子学;肖特基二极管;氮化镓;电子束;单晶;电子迁移率;制造;基板;氨热; I-v曲线测量;