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机译:化学气相沉积的高保真转移,通过底物去耦和聚合物/小分子复合材料生长2D过渡金属二均磷酸酯
Guangdong Univ Technol Guangzhou Key Lab Low Dimens Mat &
Energy Storage Sch Mat &
Energy Guangzhou 510006 Peoples R China;
SUNY Buffalo Dept Phys Buffalo NY 14260 USA;
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SUNY Buffalo Dept Phys Buffalo NY 14260 USA;
SUNY Buffalo Dept Phys Buffalo NY 14260 USA;
Peking Univ Coll Engn Dept Mat Sci &
Engn Beijing Innovat Ctr Engn Sci &
Adv Technol BIC ES Beijing Key Lab Magnetoelect Mat &
Devices BKL MM Beijing 100871 Peoples R China;
Guangdong Univ Technol Guangzhou Key Lab Low Dimens Mat &
Energy Storage Sch Mat &
Energy Guangzhou 510006 Peoples R China;
SUNY Buffalo Dept Phys Buffalo NY 14260 USA;
2D materials; transition-metal dichalcogenides; monolayer; chemical vapor deposition; intercalation;
机译:化学气相沉积的高保真转移,通过底物去耦和聚合物/小分子复合材料生长2D过渡金属二均磷酸酯
机译:二维过渡金属二硫属元素化物单层化学气相沉积的广义机理模型
机译:来自过渡金属二硫代根苷旁的横向异质结构的1D P-n结电子器件通过单盆化学气相沉积合成
机译:二维过渡金属双硫属元素化物的化学气相沉积–仅添加盐
机译:通过化学气相沉积法在各种基底上合成和表征二维过渡金属二硫属元素化物,合金和异质结
机译:通过控制层数和形貌的化学气相沉积法合成二维过渡金属二卤化物
机译:化学气相沉积的高保真转移生长2D过渡金属二均磷酸酯通过底物去耦和聚合物/小分子复合材料