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机译:惰性环境退火对MANOS电容器记忆特性的影响
MANOS; non-volatile memory; charge trapping devices; atomic layer deposition; alumina defects; alumina;
机译:惰性环境退火对MANOS电容器记忆特性的影响
机译:在环境NO中退火的n型4H-SiC平面和沟槽MOS电容器的电特性比较研究
机译:环境温度和退火温度对原子层沉积Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)作为金属氧化物半导体电容器和MOSFET的电特性的影响
机译:高温退火的存储电容器中的ALD高x HfAlO_x纳米晶体的特性
机译:网格化MANOS电容器的制造和表征,可快速研究各种栅极叠层配置。
机译:H2高压退火对HfO2 / Al2O3 / In0.53Ga0.47As电容器的影响:化学成分和电特性
机译:通过顶部后电极退火处理,增强了铁电薄膜存储电容器的疲劳性和保持力
机译:通过后顶电极退火处理增强铁电薄膜存储电容器的疲劳和保持力