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机译:环境温度和退火温度对原子层沉积Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)作为金属氧化物半导体电容器和MOSFET的电特性的影响
Department of Electrical Engineering and Paul G. Allen Center for Integrated Systems, Stanford University,Stanford, California 94305, USA;
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机译:退火工艺对原子层沉积Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)作为金属氧化物半导体电容器电性能的影响
机译:形成气体退火对钝化硫的Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)As(110)金属氧化物半导体电容器的电特性的影响
机译:先栅极后栅极工艺对使用原子层沉积Al_2O_3和HfO_2氧化物的In_(0.53)Ga_(0.47)As金属氧化物半导体电容器的界面质量的影响
机译:用原子层沉积AL_2O_3,ZRO_2和堆叠的AL_2O_3 / ZRO_2栅极电介质,自对准IN_(0.47)作为MOSFET作为MOSFET。
机译:通过原子层沉积形成的高k砷化铟金属氧化物半导体电容器。
机译:H2高压退火对HfO2 / Al2O3 / In0.53Ga0.47As电容器的影响:化学成分和电特性
机译:表面处理和气体退火条件对原子层沉积Al2O3 / N-In0.53GA0.47AS金属氧化物半导体电容器的反演行为的影响