メタフォトニクス素子～導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性

摘要

本研究は、従来の化合物半導体をベースとした導波路型光素子に、誘電率や透磁率の値を人工的に制御できる“メタマテリアル”の概念を融合することによって、新規デバイスの実現を目指している。本稿では、その布石として、InP系導波路素子に金属微細共振器アレイ（メタマテリアル）を導入したデバイスを作製した。結果、1.5μm帯域において明確な磁気共振（μ≠1）を観測することに成功した。