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メタフォトニクス素子:導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性

机译:超光子学器件:波导型光学器件中磁导率控制的可能性

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摘要

本研究は、従来の化合物半導体をベースとした導波路型光素子に、誘電率や透磁率の値を人工的に制御できる“メタマテリアル”の概念を融合することによって、新規デバイスの実現を目指している。本稿では、その布石として、InP系導波路素子に金属微細共振器アレイ(メタマテリアル)を導入したデバイスを作製した。結果、1.5μm帯域において明確な磁気共振(μ≠1)を観測することに成功した。%We demonstrated InP-based optical multi-mode interferometers (MMI) combined with metamaterials. The MMI operated at optical-communication wavelength, 1.5-um. The metamaterial consisted of minute split-ring resonators (SRRs) arrayed on the MMI. Magnetic resonance established between the SRR metamaterial and light at 1.5 um, and the relative permeability of the metamaterial increased to 2.4 around this wavelength. Our results show the feasibility of semiconductor-based photonic devices combined with metamaterials. This would be useful in the development of novel optical-communication devices.
机译:这项研究旨在通过集成“超材料”的概念来实现一种新器件,该材料可以人为地控制介电常数和磁导率的值与基于化合物半导体的常规光波导器件。 ing。在本文中,作为垫脚石,我们制造了一种将金属微腔阵列(超材料)引入InP波导器件的器件。结果,我们成功地在1.5μm波段观察到清晰的磁共振(μ≠1)。 %我们演示了基于InP的光学多模干涉仪(MMI)与超材料的组合.MMI在1.5微米的光通信波长下运行。超材料由排列在MMI上的微小开口环谐振器(SRR)组成。建立在SRR超材料和1.5 um的光之间,并且超材料的相对磁导率在该波长附近增加到2.4。我们的结果表明,基于半导体的光子器件与超材料相结合的可行性,这将有助于开发新型光学-通信设备。

著录项

  • 来源
    《電子情報通信学会技術研究報告》 |2011年第431期|p.45-48|共4页
  • 作者单位

    東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター 〒152-8552 東京都目黒区大岡山2-12-1;

    東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻 〒152-8552東京都目黒区大岡山2-12-1;

    東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻 〒152-8552東京都目黒区大岡山2-12-1;

    東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻 〒152-8552東京都目黒区大岡山2-12-1;

    東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻 〒152-8552東京都目黒区大岡山2-12-1;

    東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター 〒152-8552 東京都目黒区大岡山2-12-1,東京工業大学 理工学研究科電気電子工学専攻 〒152-8552東京都目黒区大岡山2-12-1;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

    光集積; メタマテリアル; 光学特性;

    机译:光学集成;超材料;光学性质;

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