...
机译:使用III-V半导体增强性能的无结隧道效应晶体管
Double Gate Junctionless Tunnel Field Effect Transistor (DG JL-TFET); Sub-Threshold Slope (SS);
机译:使用III-V半导体增强性能的无结隧道效应晶体管
机译:隧道场效应晶体管中用于单极传导的III-V组三元化合物半导体材料
机译:重掺杂无结纳米线绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移率增强效应
机译:无结栅全环绕场效应晶体管的硅和III-V沟道材料的性能分析
机译:III-V垂直隧道场效应晶体管,隧道与栅极字段对齐
机译:低于5 nm的无结场效应晶体管的二维MX2半导体
机译:双栅极连接隧洞场效应晶体管性能分析:RF稳定性视角
机译:在刚性和柔性基板上的自对准,极高频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管。