掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献代查
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US
Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
洗净技术
移动信息
微电子技术
互联网天地
微细加工技术
电子设计工程
通信与广播电视
真空电器技术
电子元器件应用
电子学报
更多>>
相关外文期刊
Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on
Organic Electronics
Land & Sea-Based Electronics Forecast
NTT Review
International journal of advanced media and communication
Telesis
Progress in Quantum Electronics
Television
Wireless LAN
Magnetics Letters, IEEE
更多>>
相关中文会议
2004全国第十届微波集成电路与移动通信学术会议
中国电子学会第七届学术年会
第七届中国国际(上海)洁净技术论坛
2003(华南)中国国际电子信息显示技术与产业化发展研讨会
中国电子学会第十七届电子元件学术年会
2009中国国际多媒体视讯高峰论坛
2011 National Teaching Seminar on Cryptography and Information Security(NTS-CIS2011)(2011年全国密码学与信息安全教学研讨会)
ANSYS2010中国用户大会
全国第十五届红外加热暨红外医学发展研讨会
全国第十四届红外加热暨红外医学发展研讨会
更多>>
相关外文会议
World Multiconference on Systemics, Cybernetics and Informatics and 5th International Conference on Information Systems Analysis and Synthesis Vol.6: Image, Accoustic, Speech and Signal Processing, Jul 31-Aug 4, 1999, Orlando, Florida
Radar Polarimetry
2019 15th Conference on Ph.D Research in Microelectronics and Electronics
Conference on Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Ⅵ Jan 23-24, 2002 San Jose, USA
Conference on Atomic and Molecular Pulsed Lasers V; 20030915-20030919; Tomsk; RU
Fiber Lasers XV: Technology and Systems
Advanced topics in optoelectronics, microelectronics, and nanotechnologies VI
Free-Space Laser Communication and Active Laser Illumination III
2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference
Advanced Laser Technologies 2005 pt.1
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Growth and Surface Reconstructions of AlN(0001) Films
机译:
AlN(0001)薄膜的生长和表面重建
作者:
C. D. Lee
;
Y. Dong
;
R. M. Feenstra
;
J. E. Northrup
;
J. Neugebauer
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
2.
High electron mobility in AlGaN/GaN HEMT grown on sapphire: strain modification by means of AlN interlayers
机译:
在蓝宝石上生长的AlGaN / GaN HEMT中的高电子迁移率:借助AlN中间层的应变改性
作者:
Marianne Germain
;
Maarten Leys
;
Steven Boeykens
;
Stefan Degroote
;
Wenfei Wang
;
Dominique Schreurs
;
Wouter Ruythooren
;
Kang-Hoon Choi
;
Benny Van Daele
;
Gustaaf Van Tendeloo
;
Gustaaf Borghs
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
3.
High Current Injection to a UV-LED grown on a Bulk AlN Substrate
机译:
高电流注入到块状AlN衬底上生长的UV-LED
作者:
Toshio Nishida
;
Tomoyuki Ban
;
Hisao Saito
;
Toshiki Makimoto
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
4.
High-Power Characteristics of GaN/InGaN Double Heterojunction Bipolar Transistors with a Regrown p-InGaN Base Layer
机译:
具有再生p-InGaN基层的GaN / InGaN双异质结双极晶体管的高功率特性
作者:
Toshiki Makimoto
;
Yoshiharu Yamauchi
;
Kazuhide Kumakura
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
5.
HNO_3 treatment of sapphire for management of GaN polarity in MOCVD method: Comparison of the properties of +c and -c GaN region
机译:
在MOCVD方法中使用蓝宝石的HNO_3处理来管理GaN极性:+ c和-c GaN区域的性能比较
作者:
Motoki Takabe
;
Masatomo Sumiya
;
Shunro Fuke
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
6.
High Temperature Implantation of Tm in GaN
机译:
Tm在GaN中的高温注入
作者:
K. Lorenz
;
U. Wahl
;
E. Alves
;
S. Dalmasso
;
R.W. Martin
;
K.P. O Donnell
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
7.
III-Nitride Photonic Crystals for Blue and UV Emitters
机译:
用于蓝色和紫外线发射器的III型氮化物光子晶体
作者:
J. Shakya
;
K. H. Kim
;
J. Li
;
J. Y. Lin
;
H. X. Jiang
;
T. N. Oder
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
8.
High Performance Solar Blind Detectors based on AlGaN grown by MBE and MOCVD
机译:
MBE和MOCVD生长的基于AlGaN的高性能太阳盲检测器
作者:
Jean-Yves DUBOZ
;
Jean-Luc Reverchon
;
Mauro Mosca
;
Nicolas Grandjean
;
Franck Omnes
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
9.
Identification of Carbon-related Bandgap States in GaN Grown by MOCVD
机译:
MOCVD生长的GaN中碳相关的带隙态的识别
作者:
A. Armstrong
;
A. R. Arehart
;
S. A. Ringel
;
B. Moran
;
S. P. DenBaars
;
U. K. Mishra
;
J. S. Speck
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
10.
Influence of Growth Parameters on the Deep Level Spectrum in MBE-Grown n-GaN
机译:
生长参数对MBE生长n-GaN深能级谱的影响
作者:
A. R. Arehart
;
C. Poblenz
;
B. Keying
;
J. S. Speck
;
U. K. Mishra
;
S. P. DenBaars
;
S. A. Ringel
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
11.
Intersubband Absorptions in Doped and Undoped GaN/AlN Quantum Wells at Telecommunication Wavelengths Grown on Sapphire and 6H-SiC Substrates
机译:
在蓝宝石和6H-SiC衬底上生长的电信波长下,掺杂和未掺杂GaN / AlN量子阱中的子带间吸收
作者:
A. Helman
;
M. Tchemycheva
;
A. Lusson
;
E. Warde
;
F. H. Julien
;
E. Monroy
;
F. Fossard
;
Le Si Dang
;
B. Daudin
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
12.
Influence of AlN Overgrowth on GaN Nanostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy
机译:
AlN的过度生长对分子束外延生长的GaN纳米结构的影响
作者:
N. Gogneau
;
E. Monroy
;
D. Jalabert
;
E. Sarigiannidou
;
J. L. Rouviere
;
B. Daudin
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
13.
Luminescent Holmium Doped Amorphous AlN Thin Films for use as Waveguides and Laser Cavities
机译:
发光Hol掺杂非晶AlN薄膜,用作波导和激光腔
作者:
Muhammad Maqbool
;
H.H. Richardson
;
P.G. Van Patten
;
M. E. Kordesch
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
14.
LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on Silicon Carbide. Application to HEMT's devices
机译:
LP-MOCVD在碳化硅上生长GaAlN / GaN异质结构。应用于HEMT的设备
作者:
M-A. di Forte Poisson
;
M. Magis
;
M. Tordjman
;
R. Aubry
;
M. Peschang
;
S.L. Delage
;
J. di Persio
;
B. Grimbert
;
V. Hoel
;
E. Delos
;
D. Ducatteau
;
C. Gaquiere
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
15.
Luminescence Properties of Eu ion-implanted GaN
机译:
ion离子注入GaN的发光特性
作者:
Shin-ichiro Uekusa
;
Isao Tanaka
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
16.
Manifestation of structural defects in photoluminescence from GaN
机译:
GaN的光致发光中结构缺陷的表现
作者:
M. A. Reshchikov
;
J. Jasinski
;
F. Yun
;
L. He
;
Z. Liliental-Weber
;
H. Morkoc
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
17.
Magnetic properties of Mn-doped GaN, InGaN, and AlGaN
机译:
Mn掺杂的GaN,InGaN和AlGaN的磁性
作者:
M.L. Reed
;
E.A. Berkman
;
M.J. Reed
;
F.E. Arkun
;
T. Chikyow
;
S.M. Bedair
;
J.M. Zavada
;
N. A. El-Masry
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
18.
Laser Diode Facet Degradation Study
机译:
激光二极管刻面退化研究
作者:
Ulrich T. Schwarz
;
Thomas Schoedl
;
V. Kuemmler
;
A. Lell
;
V. Haerle
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
19.
Mg Doped GaN Using a Valved, Thermally Energetic Source: Enhanced Incorporation, Control and Quantitative Optimization
机译:
使用带阀热能源的Mg掺杂GaN:增强的结合,控制和定量优化
作者:
Shawn D. Burnham
;
W. Alan Doolittle
;
Gon Namkoong
;
Walter Henderson
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
20.
Microstructure of Nonpolar a-Plane GaN Grown on (1120) 4H-SiC Investigated by TEM
机译:
用TEM研究在(1120)4H-SiC上生长的非极性a平面GaN的微观结构
作者:
D.N. Zakharov
;
Z. Liliental-Weber
;
B. Wagner
;
Z.J. Reitmeier
;
E.A. Preble
;
R.F. Davis
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
21.
Non-Equilibrium Acceptor Concentration in GaN:Mg Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法生长的GaN:Mg中的非平衡受体浓度
作者:
Y. Gong
;
Y. Gu
;
Igor L. Kuskovsky
;
G.F. Neumark
;
J. Li
;
J.Y. Lin
;
H.X. Jiang
;
I. Ferguson
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
22.
Modulation of Arsenic Incorporation in GaN Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy
机译:
分子束外延生长在GaN层中砷掺入的调制
作者:
S.V. Novikov
;
L.X. Zhao
;
C.T. Foxon
;
B.Ja. Ber
;
A.P. Kovarsky
;
I. Harrison
;
M.W. Fay
;
P.D. Brown
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
23.
N-rich GaNAs with High As Content Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长的高As含量的富氮GaNA
作者:
Akitaka Kimura
;
H. F. Tang
;
C. A. Paulson
;
T. F. Kuech
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
24.
Optical and Microstructural Characterisation of InN Grown by PAMBE on (0001) Sapphire and (001) YSZ
机译:
PAMBE在(0001)蓝宝石和(001)YSZ上生长的InN的光学和微观结构表征
作者:
P.A. Anderson
;
C.E. Kendrick
;
T.E. Lee
;
W. Diehl
;
R.J. Reeves
;
V.J. Kennedy
;
A. Markwitz
;
R.J. Kinsey
;
S.M. Durbin
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
25.
Optical and Electrical Properties of Low to Highly-Degenerate InN Films
机译:
低至高度退化的InN薄膜的光学和电学性质
作者:
D.B. Haddad
;
H. Dai
;
R. Naik
;
C. Morgan
;
V.M. Naik
;
J.S. Thakur
;
G. W. Auner
;
L.E. Wenger
;
H. Lu
;
W.J. Schaff
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
26.
Proposal to Use GaAs(114) Substrates for Improvement of the Optical Transition Probability in Nitride Semiconductor Quantum Wells
机译:
建议使用GaAs(114)衬底来改善氮化物半导体量子阱中的光学跃迁几率
作者:
Mitsuru Funato
;
Yoshinobu Kawaguchi
;
Shigeo Fujita
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
27.
Photoluminescence from freestanding GaN with (1010) orientation
机译:
具有(1010)取向的独立式GaN的光致发光
作者:
M. A. Reshchikov
;
A. Teke
;
H. P. Maruska
;
D. W. Hill
;
H. Morkoc
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
28.
Origins of Light Emission and Efficiency Saturation of the Photoluminescence of GaN Nanocrystallites
机译:
GaN纳米微晶的发光起源和效率饱和
作者:
Xiang-Bai Chen
;
John L. Morrison
;
Margaret K. Penner
;
Jennifer Elle
;
Leah Bergman
;
Andrew P. Purdy
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
29.
Optimization of GaN/AlGaN Quantum Wells for Ultraviolet Emitters
机译:
紫外发射体的GaN / AlGaN量子阱的优化
作者:
A. Hangleiter
;
D. Fuhrmann
;
M. Greve
;
U. Rossow
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
30.
Anomalous Composition Dependence of Optical Energies of MBE-grown InGaN
机译:
MBE生长的InGaN的光能的异常组成依赖性
作者:
Fernandez-Torrente
;
D. Amabile
;
R.W. Martin
;
K.P. ODomell
;
J.F.W.Mosselmans
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
31.
Anisotropic Dielectric Properties of GaN Epilayers on Sapphire
机译:
蓝宝石上GaN外延层的各向异性介电性能
作者:
N. L. Rowell
;
G. Yu
;
D. J. Lockwood
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
32.
Raman Characterization of Strained GaN_yAs_(1-y) and In_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y) Epilayers
机译:
应变GaN_yAs_(1-y)和In_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)外延层的拉曼表征
作者:
Li-Lin Tay
;
David J. Lockwood
;
James A. Gupta
;
Zbig R. Wasilewski
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
33.
Structural Units and Energy of Grain Boundaries in GaN
机译:
GaN中晶界的结构单元和能级
作者:
Jun Chen
;
Pierre Ruterana
;
Gerard Nouet
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
34.
Spectroscopy of Intraband Electron Confinement in Self-Assembled GaN/AlN Quantum Dots
机译:
自组装GaN / AlN量子点中带内电子限制的光谱学
作者:
Ana Helman
;
Khalid Moumanis
;
Maria Tchernycheva
;
Alain Lusson
;
Francois Julien
;
Benjamin Damilano
;
Nicolas Grandjean
;
Jean Massies
;
Christophe Adelmannn
;
Frederic Fossard
;
Daniel Le Si Dang
;
Bruno Daudin
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
35.
Reduction of dark current in AlGaN/GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer
机译:
使用低温生长的GaN盖层减少AlGaN / GaN肖特基势垒光电探测器中的暗电流
作者:
G C. Chi
;
J. K. Sheu
;
M. L. Lee
;
C. J. Kao
;
Y. K. Su
;
S. J. Chang
;
W. C. Lai
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
36.
Advances in the Realisation of GaN-Based Microcavities: Towards Strong Coupling at Room Temperature
机译:
GaN基微腔的实现进展:在室温下实现强耦合
作者:
F. SEMOND
;
D. BYRNE
;
F. NATALI
;
M. LEROUX
;
J. MASSIES
;
N. ANTOINE-VINCENT
;
A. VASSON
;
P. DISSEIX
;
J. LEYMARIE
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
37.
Band bending near the surface in GaN as detected by a charge sensitive probe
机译:
电荷敏感探针检测到的GaN表面附近的能带弯曲
作者:
S. Sabuktagin
;
M. A. Reshchikov
;
D. K. Johnstone
;
H. Morkoc
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
38.
Band-GaP Energy and Physical Properties of InN Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy
机译:
RF分子束外延生长InN的带隙能量和物理性质
作者:
Yasushi Nanishi
;
Yoshiki Saito
;
Tomohiro Yamaguchi
;
Fumie Matsuda
;
Tsutomu Araki
;
Hiroykuki Naoi
;
Akira Suzuki
;
Hiroshi Harima
;
Takao Miyajima
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
39.
Characterization of Photovoltaic Cells Using n-InN/p-Si Grown by RF-MBE
机译:
使用RF-MBE生长的n-InN / p-Si表征光伏电池
作者:
Chiharu Morioka
;
Tomohiro Yamaguchi
;
Hiroyuki Naoi
;
Tsutomu Araki
;
Akira Suzuki
;
Yasushi Nanishi
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
40.
Characterization of III-nitride Based Schottky UV Detectors with Wide Detectable Wavelength Range (360-10 nm) using Synchrotron Radiation
机译:
基于III族氮化物的肖特基紫外检测器利用同步辐射表征宽检测波长范围(360-10 nm)
作者:
Atsushi Motogaito
;
Kazumasa Hiramatsu
;
Yasuhiro Shibata
;
Hironobu Watanabe
;
Hideto Miyake
;
Kazutoshi Fukui
;
Youichiro Ohuchi
;
Kazuyuki Tadatomo
;
Yutaka Hamamura
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
41.
Combined MOCVD and MBE growth of GaN on porous SiC
机译:
多孔SiC上GaN的MOCVD与MBE结合生长
作者:
Ashutosh Sagar
;
R. M. Feenstra
;
C. K. Inoki
;
T. S. Kuan
;
D. D. Koleske
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
42.
Delta-doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Incorporation of AlN Epilayers
机译:
掺有AlN外延层的Delta掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管
作者:
Z. Y. Fan
;
M. L. Nakarmi
;
J. Y. Lin
;
H. X. Jiang
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
43.
Effects of growth interruption on the structural and optical properties of GaN self-assembled quantum dots
机译:
生长中断对GaN自组装量子点结构和光学性质的影响
作者:
K. Hoshino
;
S. Kako
;
Y. Arakawa
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
44.
Either step-flow or layer-by-layer growth for AlN on SiC (0001) substrates
机译:
在SiC(0001)衬底上进行AlN的分步生长或逐层生长
作者:
Jun Suda
;
Norio Onojima
;
Tsunenobu Kimoto
;
Hiroyuki Matsunami
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
45.
Electrical and Optical Properties of Carbon Doped Cubic GaN Epilayers Grown Under Extreme Ga Excess
机译:
在极端Ga过量下生长的碳掺杂立方GaN外延层的电和光学性质
作者:
D. J. As
;
D.G. Pacheco-Salazar
;
S. Potthast
;
K. Lischka
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
46.
Epitaxy of highly optical efficient GaN on O and Zn face ZnO
机译:
高光学效率的GaN在O和Zn面ZnO上的外延
作者:
Xing Gu
;
Michael A. Reshchikov
;
Lei He
;
Ali Teke
;
Feng Yun
;
Daniel K. Johnstone
;
Bill Nemeth
;
Jeff Nause
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
47.
Electron Field Emission from GaN Nanotip Pyramids
机译:
GaN纳米尖端金字塔的电子场发射
作者:
Hock M. Ng
;
Jonathan Shaw
;
Aref Chowdhury
;
Nils G. Weimann
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
48.
Evidence of strong indium segregation in MOCVD In_xGa_(1-x)N/GaN quantum layers
机译:
MOCVD In_xGa_(1-x)N / GaN量子层中强铟偏析的证据
作者:
Grzegorz Maciejewski
;
Grzegorz Jurczak
;
Slawomir Kret
;
Pawel Dluzewski
;
Pierre Ruterana
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
49.
Emission Mechanisms in UV Emitting GaN/AlN Multiple Quantum Well Structures
机译:
紫外线发射GaN / AlN多量子阱结构中的发射机理
作者:
Madalina Furis
;
Alexander N. Cartwright
;
Hong Wu
;
William J. Schaff
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
50.
Fabrication of Thermoelectric Devices Using AlInN and InON Films prepared by reactive radio-frequency sputtering
机译:
使用反应性射频溅射制备的AlInN和InON膜制造热电器件
作者:
S. Yamaguchi
;
R. Izaki
;
N. Kaiwa
;
S. Sugimura
;
A. Yamamoto
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
51.
Extended X-ray Absorption Fine Structure Studies of GaN Epilayers Doped in situ with Er and Eu During Molecular Beam Epitaxy
机译:
分子束外延过程中原位掺杂Er和Eu的GaN外延层的扩展X射线吸收精细结构研究
作者:
V. Katchkanov
;
J.F.W. Mosselmans
;
S. Dalmasso
;
K. P. ODonnell
;
R.W. Martin
;
O. Briot
;
N. Rousseau
;
G. Halambalakis
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
52.
GaN quantum dot UV light emitting diode
机译:
GaN量子点紫外发光二极管
作者:
Jeong-Sik Lee
;
Satoru Tanaka
;
Peter Ramvall
;
Hiroaki Okagawa
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
53.
GaN Epitaxial Growth Process at High Growth Temperature by NH_3 Source Molecular Beam Epitaxy
机译:
NH_3源分子束外延在高生长温度下GaN外延生长工艺
作者:
Naoki Ohshima
;
Akihiro Sugihara
;
Naoya Yoshida
;
Naohiko Okabe
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
54.
Growth and Characterization of AlN and GaN Thin Films Deposited on Si(111) Substrates Containing a Very Thin Al Layer
机译:
沉积在包含非常薄的Al层的Si(111)衬底上的AlN和GaN薄膜的生长和表征
作者:
Zachary J. Reitmeier
;
Robert F. Davis
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
55.
Growth and Fabrication of 2 inch Free-standing GaN Substrates via the BouLe Growth Method
机译:
通过BouLe生长方法生长和制造2英寸独立式GaN衬底
作者:
Drew Hanser
;
Lianghong Liu
;
Edward A. Preble
;
Darin Thomas
;
Mark Williams
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
56.
Thermal Activation of Beryllium in GaN Grown by RF-Plasma Molecular Beam Epitaxy
机译:
射频等离子体分子束外延生长的GaN中的铍热活化
作者:
B.L. VanMil
;
Kyoungnae Lee
;
Lijun Wang
;
N.C. Giles
;
T.H. Myers
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
57.
Time-Resolved Reflectivity Studies of Electric Field Effects in III-Nitride Semiconductors
机译:
III型氮化物半导体中电场效应的时间分辨反射率研究
作者:
M. Wraback
;
H. Shen
;
A.V. Sampath
;
C.J. Collins
;
G.A. Garrett
;
W.L. Sarney
;
Y. Fedyunin
;
J. Cabalu
;
T.D. Moustakas
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
58.
Structural and Optical Characterization of InGaN Layers Grown by MOMBE
机译:
MOMBE生长的InGaN层的结构和光学特性
作者:
P. Singh
;
J. Aderhold
;
J. Graul
;
V. Yu. Davydov
;
F. Gourbilleau
;
P. Ruterana
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
59.
Structural and Optical Properties of GaN Quantum Dots
机译:
GaN量子点的结构和光学性质
作者:
B. Daudin
;
N. Gogneau
;
C. Adelmann
;
E. Sarigiannidou
;
T. Andreev
;
F. Enjalbert
;
E. Monroy
;
F. Fossard
;
J. L. Rouviere
;
Y. Hori
;
X. Biquard
;
D. Jalabert
;
Le Si Dang
;
M. Tanaka
;
O. Oda
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
60.
Strain evolution and phonons in AlN/GaN superlattices
机译:
AlN / GaN超晶格中的应变演化和声子
作者:
V. Darakchieva
;
P. P. Paskov
;
M. Schubert
;
E. Valcheva
;
T. Paskova
;
H. Arwin
;
B. Monemar
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
61.
Structural Defect-Related Photoluminescence in GaN
机译:
GaN中与结构缺陷相关的光致发光
作者:
L. Chen
;
B.J. Skromme
;
M.K. Mikhov
;
H. Yamane
;
M. Aoki
;
F.J. DiSalvo
;
B. Wagner
;
R.F. Davis
;
P.A. Grudowski
;
R.D. Dupuis
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
62.
Study of the growth mechanism and properties of InN films grown by MOCVD
机译:
MOCVD生长InN薄膜的生长机理和性能研究
作者:
Abhishek Jain
;
Joan M. Redwing
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
63.
Electron micro-probe analysis and cathocoluminescence spectroscopy of rare earth - implanted GaN
机译:
稀土GaN的电子微探针分析和阴极发光光谱。
作者:
S. Dalmasso
;
R.W. Martin
;
P.R. Edwards
;
V. Katchkanov
;
K.P. ODonnell
;
K. Lorenz
;
E. Alves
;
U. Wahl
;
B. Pipeleers
;
V. Matias
;
A. Vantomme
;
Y. Nakanishi
;
A. Wakahara
;
A. Yoshida
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
64.
Growth of GaN crystals under ammonothermal conditions
机译:
氨热条件下GaN晶体的生长
作者:
Michael J. Callahan
;
Buguo Wang
;
Lionel O. Bouthillete
;
Sheng-Qi Wang
;
Joseph W. Kolis
;
David F. Bliss
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
65.
Growth Evolution of Gallium Nitride Films on Stepped and Step-Free SiC Surfaces
机译:
氮化镓膜在无级和无级SiC表面上的生长演变
作者:
Charles R. Eddy
;
Jr.
;
James C. Culbertson
;
Nabil D. Bassim
;
Mark E. Twigg
;
Ronald T. Holm
;
Robert E. Stahlbush
;
Richard L. Henry
;
Philip G. Neudeck
;
Andrew J. Trunek
;
J.Anthony Powell
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
66.
High Temperature Operation of A New Normally-Off AlGaN/GaN HFET on Si Substrate
机译:
Si衬底上新型常关AlGaN / GaN HFET的高温操作
作者:
Seikoh Yoshida
;
Jiang Li
;
Takahiro Wada
;
Hironari Takehara
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
67.
High Power 330 nm AlInGaN UV LEDs in the High Injection Regime
机译:
高注入条件下的高功率330 nm AlInGaN UV LED
作者:
M. Gherasimova
;
J. Su
;
G. Cui
;
J. Han
;
H. Peng
;
E. Makarona
;
Y. He
;
Y.-K.Song
;
A. V. Nurmikko
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
68.
Hydrogen-related local vibrational modes in GaN:Mg grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的GaN:Mg中与氢有关的局部振动模式
作者:
D. Pastor
;
R. Cusco
;
L. Artus
;
F. Naranjo
;
E. Calleja
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
69.
Influence of metal thickness to sensitivity of Pt/GaN Schottky diodes for gas sensing applications
机译:
金属厚度对用于气体传感应用的Pt / GaN肖特基二极管灵敏度的影响
作者:
V. Tilak
;
M. Ali
;
V. Cimalla
;
V. Manivannan
;
P. Sandvik
;
J. Fedison
;
O. Ambacher
;
D. Merfeld
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
70.
InN Nanostructures: Strain and Morphology
机译:
InN纳米结构:应变和形态
作者:
Francois Demangeot
;
Jean Frandon
;
Claire Pinquier
;
Michel Caumont
;
Olivier Briot
;
Benedicte Maleyre
;
Sandra Clur-Ruffenach
;
Bernard Gil
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
71.
Investigation of molecular co-doping for low ionization energy p-type centers in (Ga,Al)N
机译:
(Ga,Al)N中低电离能p型中心的分子共掺杂研究
作者:
Zhe Chuan Feng
;
Adam M. Payne
;
David Nicol
;
Paul D. Helm
;
Ian Ferguson
;
Jayantha Senawiratne
;
Martin Strassburg
;
Nikolaus Dietz
;
Axel Hoffmann
;
Christoph Hums
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
72.
MBE Grown AlN Films on SiC for Piezoelectric MEMS Sensors
机译:
MBE在SiC上的压电MEMS传感器上生长的AlN膜
作者:
Dharanipal Doppalapudi
;
Richard Mlcak
;
Jeffrey Chan
;
Harry Tuller
;
Anirban Bhattacharya
;
Theodore Moustakas
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
73.
MOCVD AlGaN/GaN HFET's Material Optimization and Devices Characterization
机译:
MOCVD AlGaN / GaN HFET的材料优化和器件表征
作者:
Alexander Demchuk
;
Don Olson
;
Dan Olson
;
Minseub Shin
;
Gordon Munns
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
74.
MOCVD AlGaN/GaN HFETs on Si: Challenges and Issues
机译:
Si上的MOCVD AlGaN / GaN HFET:挑战和问题
作者:
Pradeep Rajagopal
;
John C. Roberts
;
J. W. Cook
;
Jr.
;
J. D. Brown
;
Edwin L. Piner
;
Kevin J. Linthicum
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
75.
Novel Method for the Activation of Acceptor Dopant in AlN Introducing Localized Band by Isoelectronic Dopant
机译:
等电子掺杂剂激活AlN引入局域能带中受体掺杂剂的新方法
作者:
Toshiyuki Takizawa
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
76.
Optical evaluation of pretreated InGaN quantum well structures
机译:
预处理的InGaN量子阱结构的光学评估
作者:
T. Boettcher
;
F. Bertram
;
P. Bergman
;
A. Ueta
;
J. Christen
;
D. Hommel
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
77.
Optical and Microstructural Properties of N- and Ga-Polarity GaN
机译:
N和Ga极性GaN的光学和微结构性质
作者:
A. Bell
;
J. L. Smit
;
R. Liu
;
J. Mei
;
F. A. Ponce
;
H. M. Ng
;
A. Chowdhury
;
N. G. Weimann
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
78.
Optical Properties of AlN/AlGa(In)N Short Period Superlattices -Deep UV Light Emitting Diodes
机译:
AlN / AlGa(In)N短周期超晶格的光学特性-深紫外发光二极管
作者:
M. Holtz
;
I. Ahmad
;
V. V. Kuryatkov
;
B. A. Borisov
;
G. D. Kipshidze
;
A. Chandolu
;
S. A. Nikishin
;
H. Temkin
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
79.
Pressure Dependence of Optical Transitions in In-rich Group III-Nitride Alloys
机译:
In-III族氮化物合金中光学跃迁的压力依赖性
作者:
S. X. Li
;
J. Wu
;
W. Walukiewicz
;
W. Shan
;
E.E. Haller
;
Hai Lu
;
William J. Schaff
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
80.
Processing of rare earth doped GaN with ion beams
机译:
用离子束处理稀土掺杂的GaN
作者:
K. Lorenz
;
U. Wahl
;
E. Alves
;
T. Wojtowicz
;
P. Ruterana
;
S. Dalmasso
;
R.W. Martin
;
K.P. O Donnell
;
S. Ruffenach
;
O. Briot
;
A. Vantomme
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
81.
Properties of Crucible Materials for Bulk Growth of AlN
机译:
AlN本体生长的坩埚材料的性能
作者:
Glen A. Slack
;
Jon Whitlock
;
Ken Morgan
;
Leo J. Schowalter
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
82.
Optical Study of Localized and Delocalized States in GaAsN/GaAs
机译:
GaAsN / GaAs中局域态和离域态的光学研究
作者:
Z.Y.Xu
;
X. D. Luo
;
X.D.Yang
;
P.H.Tan
;
C. L. Yang
;
W. K. Ge
;
Y.Zhang
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
83.
Real-time optical monitoring of gas phase dynamics for the growth of InN at elevated pressures
机译:
气相动力学实时光学监测InN在高压下的生长
作者:
N. Dietz
;
H. Born
;
M. Strassburg
;
V. Woods
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
84.
Polarization-dependent spectroscopy of the near-bandgap excitonic emission in free standing GaN
机译:
独立式GaN中近带隙激子发射的偏振相关光谱
作者:
P. P. Paskov
;
T. Paskova
;
P. O. Holtz
;
B. Monemar
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
85.
Platelet Inversion Domains Induced by Mg-doping in ELOG AlGaN Films
机译:
ELOG AlGaN膜中Mg掺杂诱导的血小板反转域
作者:
R. Liu
;
F. A. Ponce
;
D. Cherns
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
86.
Recombination Related to Two-Dimensional Electron Gas of Al_xGa_(1-x)N/GaN Single Heterostructures Studied with Picosecond Time-Resolved Photoluminescence
机译:
用皮秒时间分辨光致发光研究Al_xGa_(1-x)N / GaN单一异质结构的二维电子气的复合
作者:
Qing Yang
;
Rob Armitage
;
Eicke R. Weber
;
Ronald Birkkhahn
;
David Gotthold
;
Shiping Guo
;
Brian Albert
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
87.
Reciprocal Space Mapping of X-Ray Diffraction Intensity of GaN-Based Laser Diodes Grown on GaN Substrates
机译:
在GaN衬底上生长的GaN基激光二极管的X射线衍射强度的相互空间映射
作者:
K. Tachibana
;
Y. Harada
;
S. Saito
;
S. Nunoue
;
H. Katsuno
;
C. Hongo
;
G. Hatakoshi
;
M. Onomura
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
88.
Reduction of Threading Dislocation Density in AlGaN by Indium Incorporation
机译:
通过掺入铟降低AlGaN中的螺纹位错密度
作者:
H. Kang
;
Z.C. Feng
;
I. Ferguson
;
S.P. Guo
;
M. Pophristic
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
89.
Atomic Structure of Defects in GaN:Mg grown with Ga polarity
机译:
Ga极性生长的GaN:Mg缺陷的原子结构
作者:
Z. Liliental-Weber
;
T. Tomaszewicz
;
D. Zakharov
;
J. Jasinski
;
M.A. OKeefe
;
S. Hautakangas
;
A. Laakso
;
K. Saarinen
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
90.
Above and below Bandgap Excitation of Er-defect Complexes and Isolated Er in Er- implanted GaN
机译:
Er注入的GaN中Er缺陷络合物和孤立Er的带隙激发上下
作者:
A. Braud
;
M.Abouzaid
;
M.Wojdak
;
J.L. Doualan
;
R. Moncorge
;
B. Pipeleers
;
A.Vantomme
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
91.
A Study of Elemental Interdiffusion in GaN/Si Wafer Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长GaN / Si晶片中元素相互扩散的研究
作者:
X. Chen
;
M. Ishiko
;
Y. Kuroiwa
;
N. Sawaki
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
92.
Arsenic Incorporation Behavior in Nitrogen-rich GaNAs Alloys Synthesized by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)
机译:
金属有机化学气相沉积(MOCVD)合成的富氮GaNAs合金中砷的掺入行为
作者:
M. Gherasimova
;
R. G. Wheeler
;
L. J. Guido
;
K. L. Chang
;
K. C. Hsieh
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
93.
Analysis of InGaN-GaN quantum well chemistry and interfaces by transmission electron microscopy and X-ray scattering
机译:
透射电子显微镜和X射线散射分析InGaN-GaN量子阱化学和界面
作者:
T.M. Smeeton
;
M.J. Kappers
;
J.S. Barnard
;
C.J. Humphreys
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
94.
Crucible Selection in AlN Bulk Crystal Growth
机译:
AlN块状晶体生长中的坩埚选择
作者:
Rafael Dalmau
;
Balaji Raghothamachar
;
Michael Dudley
;
Raoul Schlesser
;
Zlatko Sitar
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
95.
Design of composite channels for optimized transport in nitride devices
机译:
用于优化氮化物器件传输的复合通道设计
作者:
Madhusudan Singh
;
Jasprit Singh
;
Umesh K. Mishra
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
96.
Confocal Photoluminescence and Cathodolumineseence Studies of AlGaN
机译:
AlGaN的共聚焦光致发光和阴极发光研究
作者:
V. Dierolf
;
O. Svitelskiy
;
G. S. Cargill III
;
A. Yu. Nikiforov
;
J. Redwing
;
J. Acord
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
97.
Optical Properties of Mn-doped GaN
机译:
Mn掺杂GaN的光学性质
作者:
O. Gelhausen
;
E. Malguth
;
M. R. Phillips
;
E. M. Goldys
;
M. Strassburg
;
A. Hoffmann
;
T. Graf
;
M. Gjukic
;
M. Stutzmann
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
98.
DEEP DEFECTS IN Fe-DOPED GaN LAYERS ANALYSED BY ELECTRICAL AND PHOTOELECTRICAL SPECTROSCOPIC METHODS
机译:
电和光电子光谱法分析掺铁的GaN层中的深层缺陷
作者:
H. Witte
;
K. Fluegge
;
A. Dadgar
;
A. Krtschil
;
A. Krost
;
J. Christen
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
99.
Curvature and strain in thick HVPE-GaN for quasi-substrate applications
机译:
准衬底应用中厚HVPE-GaN中的曲率和应变
作者:
Claudia Roder
;
Tim Boettcher
;
Tanya Paskova
;
Bo Monemar
;
Detlef Hommel
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
100.
Design and Fabrication of GaN-based Permeable-Base Transistors
机译:
GaN基可渗透基晶体管的设计与制造
作者:
Jasper S. Cabalu
;
Liberty L. Gunter
;
Ian Friel
;
Anirban Bhattacharyya
;
Yuri Fedyunin
;
Kanin Chu
;
Enrico Bellotti
;
Charles Eddy
;
Theodore D. Moustakas
会议名称:
《Symposium on GaN and Related Alloys 2003; 20031201-20031205; Boston,MA; US》
|
2003年
意见反馈
回到顶部
回到首页