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Silicon carbide and related materials 2012
Silicon carbide and related materials 2012
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1.
Electrical characterisation of epitaxially grown 3C-SiC films
机译:
外延生长的3C-SiC薄膜的电学表征
作者:
Liudi Jiang
;
Le Zhong
;
Fred Reed
;
Salim Taysir
;
Matteo Bosi
;
Giovanni Attolini
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
electrical;
resistivity;
carrier mobility;
carrier concentration;
2.
Electron Transport Features in Heterostructures 3C-SiC(n)/Si(p) at the Elevated Temperatures
机译:
高温下异质结构3C-SiC(n)/ Si(p)中的电子传输特征
作者:
A.V. Afanasyev
;
V.A. llyin
;
V.V. Luchinin
;
A.S. Petrov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
3C-silicon carbide;
silicon;
heteroepitaxy;
p-n heterojunction;
electron transport;
elevated temperatures;
3.
Impact of AlN spacer on electron mobility of AlGaN/AlN/GaN structures on silicon
机译:
AlN隔离层对硅上AlGaN / AlN / GaN结构电子迁移率的影响
作者:
Sebastian Roensch
;
Victor Sizov
;
Takuma Yagi
;
Saad Murad
;
Lars Groh
;
Stephan Lutgen
;
Michael Krieger
;
Heiko B. Weber
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
AlN spacer;
AlGaN/GaN;
HEMT;
hall mobility;
4.
Optimization of Copper Top-Side Metallization for High Performance SiC-Devices
机译:
高性能SiC器件的铜顶部金属化工艺的优化
作者:
T. Behrens
;
T. Suenner
;
E. Geinitz
;
A. Schletz
;
Lothar Frey
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Electronic packaging;
copper metallization;
thick wire bonding;
silicon carbide;
adhesion;
peel test;
SiC ohmic contact;
5.
Thickness uniformity and electron doping in epitaxial graphene on SiC
机译:
SiC上外延石墨烯的厚度均匀性和电子掺杂
作者:
Jens Eriksson
;
Donatella Puglisi
;
Remigijus Vasiliauskas
;
Anita Lloyd Spetz
;
Rositza Yakimova
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
epitaxial graphene on SiC;
thickness uniformity;
unintentional doping;
scanning Kelvin probe microscopy;
6.
1 MHz Resonant DC/DC-Converter Using 600 V Gallium Nitride (GaN) Power Transistors
机译:
使用600 V氮化镓(GaN)功率晶体管的1 MHz谐振DC / DC转换器
作者:
Arne Hendrik Wienhausen
;
Dirk Kranzer
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
MHz switching frequency;
Gallium Nitride Gate Injection Transistor;
Resonant DC/DC-Converter;
LLC;
7.
Development of high-voltage 4H-SiC GTOs for grid-tied solar inverters
机译:
用于并网太阳能逆变器的高压4H-SiC GTO的开发
作者:
Leonid Fursin
;
Frank Hoffmann
;
John Hostetler
;
Xueqing Li
;
Matthew Fox
;
Petre Alexandrov
;
Mari-Anne Gagliardi
;
Mark Holveck
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
Silicon Carbide;
high-voltage;
power;
GTO;
gate turn-off thyristor;
solar inverter;
AC-link;
grid-tied inverter;
series triggering;
8.
Electrophysical and optical properties of 4«-SiC irradiated with Xe ions
机译:
Xe离子辐照4«-SiC的电物理和光学性质
作者:
N. Chuchvaga
;
E. Bogdanova
;
A. Strelchuk
;
E. Kalinina
;
D. Shustov
;
M. Zamoryanskaya
;
V. Skuratov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
Xe;
irradiation;
heavy ions;
cathodoluminescence;
9.
Formation of epitaxial defects by threading screw dislocations with a morphological feature at the surface of 4° off-axis 4H-SiC substrates
机译:
通过在4°离轴4H-SiC衬底表面穿入具有形态特征的螺钉位错来形成外延缺陷
作者:
T. Aigo
;
W. Ito
;
H. Tsuge
;
H. Yashiro
;
M. Katsuno
;
T. Fujimoto
;
T. Yano
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Morphology;
screw dislocation;
extended epitaxial defect;
step-bunching;
10.
Alloying of Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC via Laser Irradiation
机译:
通过激光辐照将欧姆接触与n型4H-SiC合金化
作者:
A. Humer
;
T. Schlegl
;
B. Adelmann
;
H. Mitlehner
;
R. Hellmann
;
A. J. Bauer
;
L. Frey
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
n-type 4H-SiC;
back-side metallization;
ohmic;
nickel;
laser;
contact resistance;
11.
Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices
机译:
氧化镍作为GaN和SiC器件电介质的潜力
作者:
R. Lo Nigro
;
G. Greco
;
L. Swanson
;
G. Fisichella
;
P. Fiorenza
;
F. Giannazzo
;
S. Di Franco
;
C. Bongiorno
;
A. Marino
;
G. Malandrino
;
F. Roccaforte
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Nickel Oxide;
GaN;
SiC;
12.
Optical triggering of 12 kV, 1 cm2 4H-SiC thyristors
机译:
12 kV,1 cm2 4H-SiC晶闸管的光触发
作者:
S. L. Rumyantsev
;
M. E. Levinshtein
;
M. S. Shur
;
T. Saxena
;
Q. J. Zhang
;
A. K. Agarwal
;
L. Cheng
;
J. W. Palmour
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon carbide;
power devices;
thyristors;
optical triggering;
13.
Optimization of Holding Current in 4H-SiC Thyristors
机译:
4H-SiC晶闸管保持电流的优化
作者:
Stanislav Soloviev
;
Ahmed Elasser
;
Sarah Katz
;
Steve Arthur
;
Zach Stum
;
Liangchun Yu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
thyristor;
pulse power device;
substrate defects;
carrier lifetime;
SiC;
14.
Comparative Study of n-LIGBT and n-LDMOS structures on 4H-SiC
机译:
4H-SiC上n-LIGBT和n-LDMOS结构的比较研究
作者:
V. Haeublein
;
G. Temmel
;
H. Mitlehner
;
G. Rattmann
;
C. Strenger
;
A. Hurner
;
A. J. Bauer
;
H. Ryssel
;
L. Frey
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
SiC devices;
LIGBT;
LDMOS;
unipolar;
bipolar;
15.
Charge Pumping Analysis of Monolithically Fabricated 4H-SiC CMOS Structures
机译:
单片制造的4H-SiC CMOS结构的电荷泵分析
作者:
Lucy C. Martin
;
D. Clark
;
E.P. Ramsay
;
A.E. Murphy
;
R.F. Thompson
;
D.A. Smith
;
R.A.R. Young
;
J.D. Cormack
;
N.G. Wright
;
A.B. Horsfall
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon Carbide;
CMOS;
Interface Trap Density;
Charge Pumping;
MOSFET;
16.
16 kV, 1 cm~2, 4H-SiC PiN Diodes for Advanced High-Power and High-Temperature Applications
机译:
适用于高级大功率和高温应用的16 kV,1 cm〜2、4H-SiC PiN二极管
作者:
Lin Cheng
;
Anant K. Agarwal
;
Michael OLoughlin
;
Craig Capell
;
Khiem Lam
;
Charlotte Jonas
;
Jim Richmond
;
Al Burk
;
John W. Palmour
;
Aderinto A. Ogunniyi
;
Heather K. OBrien
;
Charles J. Scozzie
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
PiN diode;
high voltage;
silicon carbide;
carrier lifetime;
high injection-current density;
high temperature;
17.
Stress relaxation study in 3C-SiC microstructures by micro-Raman analysis and Finite element modeling
机译:
通过显微拉曼分析和有限元建模研究3C-SiC显微组织中的应力松弛
作者:
N.Piluso
;
R. Anzalone
;
A. Severino
;
A.Canino
;
A. LA Magna
;
G. DArrigo
;
F. La Via
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
Finite element modeling;
free standing microstructures;
cantilever;
stress field;
18.
Stability Investigation of High Heat-Resistant Resin under High Temperature for Ultra-high Blocking Voltage SiC Devices
机译:
超高阻断电压SiC器件的高温下高耐热性树脂的稳定性研究
作者:
T. lzumi
;
T. Hemmi
;
T. Hayashi
;
K. Asano
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
high heat-resistant resin;
high blocking voltage;
high temperature;
SiC;
19.
High Temperature SiC Sensor with an Electrically Isolated Package
机译:
带有电绝缘封装的高温SiC传感器
作者:
F. Draghici
;
G. Brezeanu
;
I. Rusu
;
F. Bemea
;
P. Godignon
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Schottky diode;
packaged temperature sensor;
high temperature testing;
20.
Low resistivity, thick heavily Al-doped 4H-SiC epilayers grown by hot-wall chemical vapor deposition
机译:
通过热壁化学气相沉积法生长的低电阻率,厚重Al掺杂的厚4H-SiC外延层
作者:
Shiyang Ji
;
Kazutoshi Kojima
;
Yuuki Yishida
;
Hidekazu Tsuchida
;
Sadafumi Yoshida
;
Hajime Okumura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
p-type 4H-SiC;
hot-wall CVD;
heavily Al-doped;
thick epilayer;
low resistivity;
21.
Reduction of Threading Screw Dislocation Density Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4H-SiC
机译:
利用4H-SiC溶液生长过程中的缺陷转化来降低螺纹螺钉的位错密度
作者:
Shunta Harada
;
Yuji Yamamoto
;
Kazuaki Seki
;
Toru Ujihara
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Solution growth;
Dislocation;
Polytype transformation;
22.
Theoretical Study of N incorporation Effect during SiC Oxidation
机译:
SiC氧化过程中氮掺入效应的理论研究
作者:
Shigenori Kato
;
Kenta Chokawa
;
Katsumasa Kamiya
;
Kenji Shiraishi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
first principles;
4H-SiC;
nitrogen;
oxidation;
23.
To the experimental determination of the spontaneous polarization for the silicon carbide polytypes
机译:
实验确定碳化硅多晶型的自发极化
作者:
S. Yu. Davydov
;
A. A. Lebedev
;
O. V. Posrednik
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
24.
Towards bulk-like 3C-SiC growth using low off-axis substrates
机译:
使用低轴外衬底实现块状3C-SiC的生长
作者:
Valdas Jokubavicius
;
Ho-Hsuan Huang
;
Saskia Schimmel
;
Rickard Liljedahl
;
Rositza Yakimova
;
Mikael Syvaejaervi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Bulk 3C-SiC;
low off-axis substrates;
sublimation epitaxy;
25.
The formation of new periodicities after N-implantation in 4H- and 6H-SiC samples
机译:
N注入后在4H-和6H-SiC样品中形成新的周期
作者:
Konstantinos Zekentes
;
Katerina Tsagaraki
;
Aikaterini Breza
;
Nikolaos Frangis
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Ion implantation;
X-Ray Diffraction;
Transmission Electron Microscopy;
26.
Reliability evaluation of 4H-SiC JFETs using I-V characteristics and Low Frequency Noise
机译:
利用I-V特性和低频噪声评估4H-SiC JFET的可靠性
作者:
H.K.Chan
;
R.C. Stevens
;
J.P. Goss
;
N.G.Wright
;
A.B. Horsfall
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Low frequency noise;
low-level lateral JFET;
thermal stress;
degradation;
noise power spectral density;
27.
Remarkable Increase in Surge Current Capability of SiC Schottky Diodes Using Press Pack Contacts
机译:
使用压装触点,SiC肖特基二极管的浪涌电流能力显着提高
作者:
Viorel Banu
;
Philippe Godignon
;
Xavier Jorda
;
Xavier Perpinya
;
Jose Millan
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Surge current;
SiC;
Schottky diode;
packaging;
press-pack;
high temperature;
interconnection;
28.
Study on Reactive Species in Catalyst-Referred Etching of 4H-SiC using Platinum and Hydrofluoric Acid
机译:
铂和氢氟酸催化4H-SiC刻蚀的反应物种研究
作者:
Ai lsohashi
;
Yasuhisa Sano
;
Takeshi Okamoto
;
KazumaTachibana
;
Kenta Arima
;
Koji lnagaki
;
Keita Yagi
;
Shun Sadakuni
;
Yoshitada Morikawa
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
polishing;
platinum;
fluoric acids;
catalyst;
potassium fluoride;
ammonium fluoride;
etching;
29.
Energy gaps induced by a semiconducting substrate in the epitaxial graphene density of states
机译:
半导体衬底在外延石墨烯态密度下的能隙
作者:
S. Yu. Davydov
;
A. A. Lebedev
;
S. P. Lebedev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
30.
Deep-Level-Transient Spectroscopy Characterization of Mobility-Limiting Traps in SiO2/SiC interfaces on C-face 4H-SiC
机译:
C面4H-SiC上SiO2 / SiC界面中的限流陷阱的深层瞬态光谱表征
作者:
T. Hatakeyama
;
T. Shimizu
;
T. Suzuki
;
Y. Nakabayashi
;
H. Okumura
;
T. Kimoto
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiO_2/SiC;
MOS;
interface;
trap;
DLTS;
SiC;
mobility;
interface state;
CCDLTS;
DLFTS;
31.
Optimising the growth of few-layer graphene on silicon carbide by nickel silicidation
机译:
镍硅化优化碳化硅上几层石墨烯的生长
作者:
Enrique Escobedo-Cousin
;
Konstantin Vassilevski
;
Toby Hopf
;
Nick Wright
;
Anthony ONeill
;
Alton Horsfall
;
Jonathan Goss
;
Peter Cumpson
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
graphene;
few-layer graphene;
nickel silicide;
Raman scattering;
32.
Raman Spectroscopy and XPS Analysis of Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC (0001) Substrate under an Argon Pressure of 900 mbar Environment
机译:
氩气在900 mbar环境下在4H-SiC(0001)衬底上生长的外延石墨烯的拉曼光谱和XPS分析
作者:
Wang Dang-Chao
;
Zhang Yu-Ming
;
Zhang Yi-Men
;
Guo Hui
;
Wang Yue-Hu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Epitaxial graphene;
Raman spectroscopy;
33.
Power module package structure capable of surviving greater ATj thermal cycles
机译:
能够承受更大ATj热循环的功率模块封装结构
作者:
Satoshi Tanimoto
;
Hidekazu Tanisawa
;
Kinuyo Watanabe
;
Kohei Matsui
;
Shinji Sato
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Power Device;
Package;
Module;
High Temperature;
Die Attach;
Ceramic;
CIC;
Au-Ge;
34.
Low temperature homoepitaxial growth of 4H-SiC on 4° off-axis carbon-face substrate using BTMSM source
机译:
使用BTMSM源在4°离轴碳面衬底上进行4H-SiC的低温同质外延生长
作者:
Hunhee Lee
;
Han Seok Seo
;
Do Hyun Lee
;
Changhyun Kim
;
Hyunwoo Kim
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
Epitaxy;
Carbon (000-1)face;
BTMSM source;
35.
Structural investigation of heteroepitaxial 3C-SiC grown on 4H-SiC substrates
机译:
在4H-SiC衬底上生长的异质外延3C-SiC的结构研究
作者:
Henrik Jacobson
;
Xun Li
;
Erik Janzen
;
Anne Henry
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
heteropepitaxy;
3C-SiC;
XRD;
36.
A DC Comparison Study Between H-Intercalated and Native epigraphenes on SiC substrates
机译:
SiC衬底上的H-嵌入的和天然的石墨烯之间的DC比较研究
作者:
Michael Winters
;
Mattias Thorsell
;
J. ul Hassan
;
N. Rorsman
;
E. Janzen
;
H. Zirath
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Epi-graphene of SiC;
uniformity;
DC analysis;
comparison study;
H-lntercalation;
graphene fabrication;
memory effects;
37.
Photoluminescence of 8H-SiC
机译:
8H-SiC的光致发光
作者:
Anne Henry
;
Ivan G. lvanov
;
Erik Janzen
;
Tomoaki Hatayama
;
Hiroshi Yano
;
Takashi Fuyuki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
8H-SiC;
photoluminescence;
excitonic band gap;
ionization energies;
38.
Edge termination design improvements for 10 kV 4H-SiC bipolar diodes
机译:
10 kV 4H-SiC双极二极管的边缘端接设计改进
作者:
D.M. Nguyen
;
R. Huang
;
L.V. Phung
;
D. Planson
;
M. Berthou
;
P. Godignon
;
B. Vergne
;
P. Brosselard
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
bipolar diode;
edge termination;
MESA;
JTE;
breakdown voltage;
device simulation;
39.
Investigation of Nitrided Atomic-Layer-Deposited Oxides in 4H-SiC Capacitors and MOSFETs
机译:
4H-SiC电容器和MOSFET中氮化原子层沉积氧化物的研究
作者:
Sarah Kay Haney
;
Veena Misra
;
Daniel J. Lichtenwalner
;
Anant Agarwal
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon carbide;
silicon dioxide;
atomic layer deposition;
interface passivation;
MOSFETs;
metal oxide semiconductor field-effect transistors;
channel mobility;
40.
Filling of Deep Trench by Epitaxial SiC Growth
机译:
外延生长SiC填充深沟槽
作者:
K. Kojima
;
A. Nagata
;
S. lto
;
Y. Sakuma
;
R. Kosugi
;
Y. Tanaka
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Epitaxiy;
Trench filling;
Aluminum;
Doping uniformity;
Sub-trench;
SSRM;
41.
Multi-wire Electrical Discharge Slicing for Silicon Carbide
机译:
碳化硅多线放电切片
作者:
Atsushi ltokazu
;
Takashi Hashimoto
;
Kazuhiko Fukushima
;
Takashi Yuzawa
;
Tatsushi Sato
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Multi-wire Electrical Discharge Slicing;
SiC Ingot Slicing;
42.
4H-SiC Digital Logic Circuitry Based on P+ Implanted Isolation Walls MESFET Technology
机译:
基于P +注入隔离壁MESFET技术的4H-SiC数字逻辑电路
作者:
M. Alexandru
;
V. Banu
;
P. Godignon
;
M. Vellvehi
;
J. Millan
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
MESFET;
P~+ implanted isolation walls;
logic gates;
integrated circuits;
flip-flop;
43.
Complementary JFET Logic for Low-Power Applications in Extreme Environments
机译:
极端环境下低功耗应用的互补JFET逻辑
作者:
H. Habib
;
N. G. Wright
;
A. B. Horsfall
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon carbide;
enhancement mode;
high temperature;
logic inverter;
noise margin;
propagation delay;
static power dissipation;
44.
PWM Power Supply Using SiC RESURF JFETs with High Speed Switching
机译:
使用具有高速开关功能的SiC RESURF JFET的PWM电源
作者:
Satoshi Hatsukawa
;
Takashi Tsuno
;
Kazuhiro Fujikawa
;
Nobuo Shiga
;
Tuya Wuren
;
Kazuyuki Wada
;
Takashi Ohira
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
RESURF-type JFET;
high temperature characteristics;
DC-DC converter;
4H-SiC;
45.
Exploring SiC growth limitation of vapor-liquid-solid mechanism when using two different carbon precursors
机译:
探索使用两种不同的碳前驱体时SiC气液固机理的生长限制
作者:
K.AIassaad
;
F. Cauwet
;
D. Carole
;
V. Souliere
;
G. Ferro
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
VLS;
methane;
propane;
growth rate;
liquid phase;
46.
High-Speed Drive Circuit with Separate Source Terminal for 600 V/40 A Normally-off SiC-JFET
机译:
具有用于600 V / 40 A常关SiC-JFET的独立源极端子的高速驱动电路
作者:
Katsumi Ishikawa
;
Kaoru Katoh
;
Ayumu Hatanaka
;
Kazutoshi Ogawa
;
Haruka Shimizu
;
Natsuki Yokoyama
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
JFET;
normally-off;
common source inductance;
separate source terminal;
speed-up capacitor;
turn-on loss;
47.
High Temperature Digital and Analogue Integrated Circuits in Silicon Carbide
机译:
碳化硅中的高温数字和模拟集成电路
作者:
RAR. Young
;
D.T. Clark
;
J.D. Cormack
;
A.E. Murphy
;
D.A Smith
;
R.F. Thompson
;
E.P Ramsay
;
S. Finney
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H SiC, Silicon Carbide, CMOS, high temperature, integrated circuit, wide bandgap semiconductors, Mixed signal;
Logic, Analogue, switched capacitor;
48.
Vertical Channel Silicon Carbide JFETs Based Operational Amplifiers
机译:
基于垂直通道碳化硅JFET的运算放大器
作者:
A. Maralani
;
M. S. Mazzola
;
A. P. Pisano
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Analog;
Circuit;
JFET;
Operational Amplifier;
Silicon Carbide;
Temperature;
49.
Thermal Runaway Robustness of SiC VJFETs
机译:
SiC VJFET的热失控稳健性
作者:
R. Ouaida
;
C. Buttay
;
A. Hoang
;
R. Riva
;
D. Bergogne
;
H. Morel
;
C. Raynaud
;
F. Morel
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
JFET;
thermal runaway;
high-temperature;
power electronics;
50.
Silicon Carbide Multilevel Converters for Grid-connected PV Applications
机译:
并网光伏应用的碳化硅多电平转换器
作者:
Omid Mostaghimi
;
Nick Wright
;
Alton Horsfall
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Multilevel Converter;
DC-DC Conversion;
PV Panels;
Wide Bandgap;
Inverter System;
51.
Influence of epilayer thickness and structural defects on the minority carrier lifetime in 4H-SiC
机译:
外延层厚度和结构缺陷对4H-SiC中少数载流子寿命的影响
作者:
Birgit Kallinger
;
Patrick Berwian
;
Jochen Friedrich
;
Mathias Rommel
;
Maral Azizi
;
Christian Hecht
;
Peter Friedrichs
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
epitaxial layers;
CVD;
structural defects;
minority carrier lifetime;
52.
Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces
机译:
一氧化二氮中的后氧化退火对SiO2 / 4H-SiC界面的形态和电学性质的影响
作者:
L.K. Swanson
;
P. Fiorenza
;
F. Giannazzo
;
S. Alessandrino
;
S. Lorenti
;
F.Roccaforte
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiO_2;
4H-SiC;
MOS;
POA;
N_2O;
SSRM;
53.
900V, 1.46mOhm-cm2 4H-SiC Depletion Mode Vertical JFET
机译:
900V,1.46mOhm-cm2 4H-SiC耗尽型垂直JFET
作者:
Kiran Chatty
;
David C Sheridan
;
Volodymyr Bondarenko
;
Robin Schrader
;
Jeffrey B Casady
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
600V-900V;
Depletion Mode;
Vertical Trench JFET;
54.
Fabrication of a P-channel SiC-IGBT with High Channel Mobility
机译:
具有高沟道迁移率的P沟道SiC-IGBT的制造
作者:
S. Katakami
;
H. Fujisawa
;
K. Takenaka
;
H. lshimori
;
S. Takasu
;
M. Okamoto
;
M. Arai
;
Y. Yonezawa
;
K. Fukuda
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC-IGBT;
p-channel;
channel mobility;
retrograde doping profile;
ultrahigh voltage;
55.
Surface evolution of 4H-SiC(0001) during in-situ surface preparation and its influence on graphene properties
机译:
4H-SiC(0001)原位表面制备过程中的表面演变及其对石墨烯性能的影响
作者:
Jawad Ul Hassan
;
Axel Meyer
;
Semih Cakmakyapan
;
Ozgur Kazar
;
Jan Ingo Flege
;
Jens Falta
;
Ekmel Ozbay
;
Erik Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
graphene;
hydrogen intercalation;
carrier mobility;
surface morphology;
atomic force microscopy;
low energy electron microscopy;
56.
Deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation
机译:
低能电子辐照在p型4H-SiC中的深能级
作者:
Kazuki YOSHIHARA
;
Masashi KATO
;
Masaya ICHIMURA
;
Tomoaki HATAYAMA
;
Takeshi OHSHIMA
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
I-DLTS;
deep-level;
electron irradiation;
carbon vacancy;
recombination center;
57.
P-Doped SiC Growth on Diamond Substrate by VLS Transport
机译:
通过VLS传输在金刚石衬底上生长P掺杂的SiC
作者:
A. Vo-Ha
;
D. Carole
;
M. Lazar
;
D. Tournier
;
F. Cauwet
;
V. Souliere
;
D. Planson
;
C. Brylinski
;
G. Ferro
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
VLS growth;
Selective epitaxy;
p-type doping;
Diamond;
Silicon carbide;
58.
Improvement of interface state and channel mobility using 4H-SiC (0-33-8) face
机译:
使用4H-SiC(0-33-8)面改善界面状态和通道迁移率
作者:
Tom Hiyoshi
;
Takeyoshi Masuda
;
Keiji Wada
;
Shin Harada
;
Yasuo Namikawa
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
(0-33-8);
MOS;
channel mobility;
threshold voltage;
59.
Determination of the Electrical Capture Process of the EH_6-Center in n-type 4H-SiC
机译:
n型4H-SiC中EH_6-中心电捕获过程的确定
作者:
Jonas Weber
;
Svetlana Beljakowa
;
Heiko B. Weber
;
Gerhard Pensl
;
Bernd Zippelius
;
Tsunenobu Kimoto
;
Michael Krieger
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
EH_6-center;
electrical capture cross section;
60.
Diffusion study of chlorine in SiC by first principles calculations
机译:
通过第一性原理计算研究SiC中氯的扩散研究
作者:
Giovanni Alfieri
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Chlorine;
Diffusion;
Density Functional Theory;
3C-SiC;
61.
Growth Rate and Surface Morphology of 4H-SiC Single Crystal Grown under Various Supersaturations Using Si-C Solution
机译:
Si-C溶液在不同过饱和度下生长的4H-SiC单晶的生长速率和表面形态
作者:
Naoyoshi Komatsu
;
Takeshi Mitani
;
Tetsuo Takahashi
;
Masayuki Okamura
;
Tomohisa Kato
;
Hajime Okumura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
solution growth;
supersaturation;
growth rate;
surface morphology;
62.
1200 V, 3.3 mΩ SiC bipolar junction transistor power modules
机译:
1200 V,3.3mΩSiC双极结型晶体管电源模块
作者:
M. Domeij
;
A. Konstantinov
;
B. Buono
;
M. Bast
;
R. Eisele
;
L. Wang
;
A. Magnusson
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Power module;
inverter;
bipolar junction transistor;
63.
Area-Optimized JTE Simulations for 4.5 kV Non Ion-Implanted SiC BJT
机译:
4.5 kV非离子注入SiC BJT的区域优化JTE仿真
作者:
Arash Salemi
;
Hossein Elahipanah
;
Benedetto Buono
;
Carl Mikael Zetterling
;
Mikael OEstling
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Junction termination extension (JTE);
bipolar junction transistors (BJTs);
silicon carbide (SiC);
non-ion implantation;
64.
A Simplified Model for SiC Power Diode Modules for Implementation in Spice Based Simulators
机译:
SiC功率二极管模块的简化模型,可在基于香料的仿真器中实现
作者:
Filippo Chimento
;
Muhammad Nawaz
;
Niccolo Mora
;
Salvatore Tomarchio
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Power electronics module;
modeling;
diode;
lumped charge;
Spice simulators;
65.
An experimental study on compact equivalent circuit modeling of SiC Schottky Barrier diodes
机译:
SiC肖特基势垒二极管紧凑等效电路建模的实验研究
作者:
Makiko Hirano
;
Tsuyoshi Funaki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
Schottky barrier diode;
equivalent circuit model;
circuit simulation;
switching;
66.
On-axis homoepitaxial growth of 4H-SiC PiN structure for high power applications
机译:
大功率应用中4H-SiC PiN结构的同轴同质外延生长
作者:
Jawad Ul Hassan
;
Ian Booker
;
Louise Lilja
;
Anders Hallen
;
Martin Fagerlind
;
Peder Bergman
;
Erik Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
on-axis, chemical vapor deposition, growth mechanism, carrier lifetime, high power devices;
67.
Electron paramagnetic resonance studies of Nb in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中Nb的电子顺磁共振研究
作者:
Xuan Thang Trinh
;
Andreas Gallstroem
;
Nguyen Tien Son
;
Stefano Leone
;
Olle Kordina
;
Erik Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Nb;
split-vacancy complex;
electron paramagnetic resonance;
68.
EPR study of the nitrogen containing defect center created in self-assembled 6H SiC nanostructure
机译:
自组装6H SiC纳米结构中产生的含氮缺陷中心的EPR研究
作者:
Ekaterina Kalabukhova
;
Dariya Savchenko
;
Bela Shanina
;
Nikolai Bagraev
;
Leonid Klyachkin
;
Anna Malyarenko
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
V_siN_c pair;
self-assembled 6H SiC nanostructure;
EPR;
69.
Effect of NH3 post-oxidation annealing on flatness of SiO_2/SiC interface
机译:
NH3后氧化退火对SiO_2 / SiC界面平整度的影响
作者:
Narumasa Soejima
;
Taishi Kimura
;
Tsuyoshi Ishikawa
;
Takahide Sugiyama
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
post-oxidation annealing;
ammonia;
MOS capacitor;
MOSFET;
interfacial roughness;
70.
Study of Terminated Species on 4H-SiC (0001) Surfaces Planarized by Catalyst-Referred Etching
机译:
催化剂刻蚀平坦化的4H-SiC(0001)表面终止物种的研究
作者:
Pho Van Bui
;
Shun Sadakuni
;
Takeshi Okamoto
;
Kenta Arima
;
Yasuhisa Sano
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Catalyst-referred etching;
Platinum catalyst;
SiC;
XPS;
Terminated SiC surface;
71.
Pressureless Silver Sintering Die-Attach for SiC Power Devices
机译:
SiC功率器件的无压银烧结模头
作者:
Stanislas HASCOEET
;
Cyril BUTTAY
;
Dominique PLANSON
;
Rodica CHIRIAC
;
Amandine MASSON
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
silver sintering;
die-attach;
72.
Design and characterization of a novel dual-gate 3.3 kV 4H-SiC JFET
机译:
新型双栅3.3 kV 4H-SiC JFET的设计与表征
作者:
F. Chevalier
;
P. Brosselard
;
D. Tournier
;
G. Grossed
;
L. Dupuy
;
D. Planson
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Junction Field Effect Transistor;
high voltage device;
dual gate JFET;
lateral channel;
vertical channel;
73.
Steady-state analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET
机译:
常关4H-SiC沟槽双极型FET的稳态分析
作者:
Fortunato Pezzimenti
;
Salvatore Bellone
;
Francesco Giuseppe Delia Corte
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon Carbide;
Power devices;
Device Modeling;
Temperature;
Blocking Voltage;
74.
Evaluation of the drive circuit for a dual gate trench SiC JFET
机译:
双栅沟槽SiC JFET的驱动电路评估
作者:
RABKOWSKI Jacek
;
PEFTITSIS Dimosthenis
;
BAKOWSKI Mietek
;
NEE Hans-Peter
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC JFET;
dual-gate trench (DGT) JFET;
gate driver;
current-source;
switching performance;
75.
On the Assessment of Temperature Dependence of 10 - 20 kV 4H-SiC IGBTs Using TCAD
机译:
使用TCAD评估10-20 kV 4H-SiC IGBT的温度相关性
作者:
Muhammad Nawaz
;
Filippo Chimento
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC devices;
IGBTs;
TCAD;
Design and Modeling;
Simulation of devices;
76.
SXRT investigations on electrically stressed 4H-SiC PiN diodes for 6.5 kV
机译:
SXRT对6.5 kV电应力4H-SiC PiN二极管的研究
作者:
Birgit Kallinger
;
Patrick Berwian
;
Jochen Friedrich
;
Christian Hecht
;
Dethard Peters
;
Peter Friedrichs
;
Bernd Thomas
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
PiN diodes;
synchrotron x-ray topography;
dislocations;
stacking faults;
77.
Selective 4H-SiC UV detectors
机译:
选择性4H-SiC紫外线检测器
作者:
Kalinina Evgenia
;
O. Konstantinov
;
A. Lebedev
;
Yu. Goldberg
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Ultra violet radiation;
photodetector;
quantum efficiency;
optical transitions;
78.
Full Simulation Study of UV Photodetectors based on pn junctions in Silicon Carbide
机译:
碳化硅中基于pn结的紫外光电探测器的完整仿真研究
作者:
L. Ottaviani
;
W. Vervisch
;
S.Biondo
;
O. Palais
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
UV Photodiode;
FEM;
FDTD;
dark current;
surface pattern;
79.
AIGaN solid solution grown on 3C-SiC(111)/Si(111) pseudosubstrates
机译:
在3C-SiC(111)/ Si(111)伪衬底上生长的AlGaN固溶体
作者:
Katja Tonisch
;
Robert Benzig
;
Gernot Ecke
;
Joerg Pezoldt
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
epitaxy;
solid solution;
AIGaN;
3C-SiC;
stress;
ellipsometry;
XRD;
80.
Study of the effects of growth rate, miscut direction and postgrowth argon annealing on the surface morphology of homoepitaxially grown 4H silicon carbide films
机译:
研究生长速率,错切方向和后生长氩退火对同质外延生长4H碳化硅薄膜表面形态的影响
作者:
M. Camarda
;
A. Canino
;
P. Fiorenza
;
A. Severino
;
R. Anzalone
;
S. Privitera
;
A. La Magna
;
F. La Via
;
C. Vecchio
;
M. Mauceri
;
G. Litrico
;
A. Pecora
;
D. Crippa
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
surface morphology;
surface instabilities;
step bunching;
81.
A comparison of free carrier absorption and capacitance voltage methods for interface trap measurements
机译:
自由载流子吸收法和电容电压法用于界面陷阱测量的比较
作者:
S. S. Suvanam
;
M. Usman
;
K. Gulbinas
;
V. Grivickas
;
A. Hallen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
radiation hardness;
FCA;
SRV;
interface trap density;
high-k dielectrics;
4H-SiC;
82.
A possible mechanism for hexagonal void movement observed during sublimation growth of SiC single crystals
机译:
SiC单晶升华生长过程中观察到的六角形空隙运动的可能机制
作者:
Tatsuo Fujimoto
;
Hiroshi Tsuge
;
Masakazu Katsuno
;
Shinya Sato
;
Hirokatsu Yashiro
;
Hosei Hirano
;
Takayuki Yano
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Hexagonal void;
micropipe defect;
Si-C binary phase diagram;
growth instability;
83.
4H-SiC Trench MOSFET with Thick Bottom Oxide
机译:
具有厚底氧化物的4H-SiC沟道MOSFET
作者:
Hidefumi Takaya
;
Jun Morimoto
;
Toshimasa Yamamoto
;
Jun Sakakibara
;
Yukihiko Watanabe
;
Narumasa Soejima
;
Kimimori Hamada
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
trench MOSFET;
thick bottom oxide;
breakdown voltage;
on-resistance;
84.
Structural characterization of 3C-SiC grown using methyltrichlorosilane
机译:
使用甲基三氯硅烷生长的3C-SiC的结构表征
作者:
Matteo Bosi
;
Giovanni Attolini
;
Bela Pecz
;
Zsolt Zolnai
;
Laszlo Dobos
;
Oscar Martinez
;
Liudi Jiang
;
Salim Taysir
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
Methyl trichloro silane;
stress;
polycrystal;
defects;
85.
Properties of Graphene Side Gate Transistors
机译:
石墨烯侧栅晶体管的特性
作者:
Bemd Haehnlein
;
Benjamin Handel
;
Frank Schwierz
;
Joerg Pezoldt
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
graphene;
epitaxy;
field effect transistor;
86.
Investigation of die attach for SiC power device for 300℃ applications
机译:
用于300℃应用的SiC功率器件的芯片连接研究
作者:
A. DREVIN-BAZIN
;
F. BADAWI
;
F. LACROIX
;
J-F. BARBOT
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Die attach materials;
Solder;
Au-Ge;
High temperature;
Die shear;
creep;
87.
Efficient Characterization of Threshold Voltage Instabilities in SiC nMOSFETs Using the Concept of Capture-Emission-Time Maps
机译:
利用俘获-发射-时间图的概念有效表征SiC nMOSFET的阈值电压不稳定性
作者:
Gregor Pobegen
;
TiborGrasser
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC-MOSFET, Vth-instabilities, drain-current-instability, reliability, defects, traps, capture/emission time constants;
88.
Transition metal oxide-diamond interfaces for electron emission applications
机译:
过渡金属氧化物-金刚石界面,用于电子发射应用
作者:
Amit K. Tiwari
;
Jonathan P. Goss
;
Patrick R. Briddon
;
Nick G. Wright
;
Alton B. Horsfall
;
Mark J. Rayson
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Diamond surface;
transition metal oxides;
electron affinity;
surface termination;
89.
Solar-to-hydrogen conversion efficiency of water photolysis with epitaxially grown p-type SiC
机译:
外延生长的p型SiC光解水的太阳到氢转化效率
作者:
Tomonari Yasuda
;
Masashi Kato
;
Masaya Ichimura
;
Tomoaki Hatayama
会议名称:
《》
|
2012年
关键词:
Hydrogen;
Water splitting;
Water photolysis;
Photoelectrochemical properties;
90.
Subnanosecond Semiconductor Opening Switch Based on 4H-SiC Junction Diode
机译:
基于4H-SiC结二极管的亚纳秒级半导体断开开关
作者:
Pavel A. lvanov
;
Igor V. Grekhov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Semiconductor Opening Switch;
subnanosecond operation;
4H-SiC junction diode;
91.
Polycrystalline SiC as source material for the growth of fluorescent SiC layers
机译:
多晶SiC作为生长荧光SiC层的原料
作者:
Michl Kaiser
;
Thomas Hupfer
;
Valdas Jokubavicus
;
Saskia Schimmel
;
Mikael Syvaejaervi
;
Yiyu Ou
;
Haiyan Ou
;
Margareta K. Linnarsson
;
Peter Wellmann
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon Carbide;
Orientation;
PVT;
Polycrystalline;
Doping;
92.
Surface preparation of 4° off-axis 4H-SiC substrate for epitaxial growth
机译:
外延生长4°离轴4H-SiC衬底的表面处理
作者:
Xun Li
;
Jawad ul Hassan
;
Olof Kordina
;
Erik Janzen
;
Anne Henry
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Surface preparation;
4H-SiC substrates;
CVD;
93.
Origins of Negative Fixed Charge in Wet Oxidation for SiC
机译:
SiC湿式氧化中负固定电荷的起源
作者:
Katsumasa Kamiya
;
Yasuhiro Ebihara
;
Kenta Chokawa
;
Shigenori Kato
;
Kenji Shiraishi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
wet oxidation;
carbonate ion;
first-principles calculations;
density functional theory;
94.
A Study of High Temperature DC and AC Gate Stressing on the Performance and Reliability of Power SiC MOSFETs
机译:
高温DC和AC栅极应力对功率SiC MOSFET性能和可靠性的研究。
作者:
Ron Green
;
A.J. Lelis
;
M. El
;
D.B. Habersat
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
MOSFET;
reliability;
BTS;
interface traps;
oxide traps;
95.
Electrical Impact of the Aluminum p-implant Annealing on Lateral MOSFET Transistors on 4H-SiC n-epi
机译:
铝p注入退火对4H-SiC n-epi上横向MOSFET晶体管的电影响
作者:
Stefan Noll
;
Dick Scholten
;
Michael Grieb
;
Anton J. Bauer
;
Lothar Frey
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC Lateral Silicon Carbide Transistors;
Negative Bias Stress;
Post Implant Annealing Influence;
96.
15 kV IGBTs in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中的15 kV IGBT
作者:
S. Ryu
;
C. Capell
;
C. Jonas
;
M. OLoughlin
;
L. Cheng
;
K. Lam
;
A. Burk
;
J. Richmond
;
J. Clayton
;
A. Hefner
;
D. Grider
;
A. Agarwal
;
J. Palmour
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
IGBT;
High Voltage;
97.
Growth of Low Basal Plane Dislocation Density 4H-SiC Crystals in Controlled Temperature Distribution inside the Crucible
机译:
坩埚内部温度分布受控下低基面位错密度4H-SiC晶体的生长
作者:
H. Tsuge
;
S. Ushio
;
S. Sato
;
M. Katsuno
;
T. Fujimoto
;
T. Yano
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
bulk growth;
PVT growth;
basal plane dislocation;
98.
High-temperature characterization of 4H-SiC Darlington transistors for low voltage applications
机译:
用于低压应用的4H-SiC达林顿晶体管的高温特性
作者:
Luigia Lanni
;
Bengt Gunnar Majm
;
Carl-Mikael Zetterling
;
Mikael OEstling
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon carbide (SiC);
bipolar transistor (BJT);
Darlington pair;
high temperature;
99.
Step-bunching free and 30 um-thick SiC epitaxial layer growth on 150 mm SiC substrate
机译:
在150 mm SiC衬底上无分束和30 um厚的SiC外延层生长
作者:
Akira Miyasaka
;
Jun Norimatsu
;
Keisuke Fukada
;
Yutaka Tajima
;
Daisuke Muto
;
Yusuke Kimura
;
Michiya Odawara
;
Taichi Okano
;
Kenji Momose
;
Yuji Osawa
;
Hiroshi Osawa
;
Takayuki Sato
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC epitaxial growth;
150-mm diameter;
surface morphology;
uniformity, step bunching, dislocation;
100.
XPS analysis of 4H-SiC surfaces oxidized by helium-based atmospheric-pressure water vapor plasma for plasma-assisted polishing
机译:
等离子体辅助抛光的氦基大气压水蒸气等离子体氧化4H-SiC表面的XPS分析
作者:
Hui Deng
;
Kazuya Yamamura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Atmospheric Pressure Plasma;
Oxidation;
ARXPS;
4H-SiC;
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