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1.
Xenon-ion-beam modifications of a-SiO_2 and Ni/a-SiO_2 layers
机译:
a-SiO_2和Ni / a-SiO_2层的氙离子束修饰
作者:
M.Schwickert
;
K.P.Lieb
;
W.Bolse
;
M.Gustafsson
;
J.Keinonen
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
2.
Low temperature proximity gettering of platinum in proton irradiated silicon via interstitial cluster dissociation
机译:
质子辐照硅中铂的间隙团簇离解法在铂中的低温接近吸杂
作者:
D.C.Schmidt
;
B.G.Svensson
;
S.Godey
;
E.Ntsoenzok
;
J.F.Barbot
;
C.Blanchard
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
DLTS;
Platinum;
Gettering;
Defect;
Vacancy;
Interstitial;
3.
Modelling high-temperature co-implantation of N~+ and Al~+ ions in silicon carbide: the effect of stress on the implant and damage distributions
机译:
模拟碳化硅中N〜+和Al〜+离子的高温共注入:应力对注入和损伤分布的影响
作者:
P.V.Rybin
;
D.V.Kulikov
;
Yu.V.Trushin
;
R.A.Yankov
;
G.Ecke
;
W.Fukarek
;
W.Skorupa
;
J.Pezoldt
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion-beam synthesis;
Computer simulation;
Defect production;
Kinetics of defects;
Influence of stress;
4.
Measuring the generation lifetime profile modified by MeV H~+ ion implantation in silicon
机译:
测量硅中MeV H〜+离子注入修饰后的生成寿命曲线
作者:
N.Q.Khanh
;
Cs.Kovacsics
;
T.Mohacsy
;
M.Adam
;
J.Gyulai
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Lifetime tailoring;
Depth profiling;
Direct wafer bonding;
MeV implantation;
DLTS;
Zerbst method;
5.
Influence of argon and hydrogen ions energy on the structure of a-Si:H prepared by ion-beam-assisted evaporation
机译:
氩和氢离子能量对离子束辅助蒸发制备的a-Si:H结构的影响
作者:
H.Rinnert
;
M.Vergnat
;
G.Marchal
;
A.Burneau
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion-beam-assisted deposition;
Hydrogenated amorphous silicon;
Thin film;
6.
Ion beam assisted deposition of zirconium nitrides for modulated optical index structures
机译:
离子束辅助沉积氮化锆用于调制光学指数结构
作者:
L.Pichon
;
T.Girardeau
;
A.Straboni
;
F.Lignou
;
J.Perriere
;
J.M.Frigerio
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion beam assisted deposition;
Zirconium nitrides;
Optical coatings;
7.
Growth and characterization of Ge nanocrystals
机译:
Ge纳米晶体的生长与表征
作者:
Soumyendu Guha
;
Mark Wall
;
Lloyd L.Chase
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ge nanocrystals;
Raman spectroscopy;
X-ray;
TEM;
8.
Defects remaining in MeV-ion-implanted and annealed Si away from the peak of the nuclear energy deposition profile
机译:
MeV离子注入和退火的Si中残留的缺陷远离核能沉积曲线的峰值
作者:
R.Koegler
;
R.A.Yankov
;
M.Posselt
;
A.B.Danilin
;
W.Skorupa
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Si;
Ion implantation;
Defects;
Cu;
Gettering;
9.
Doping of 6H-SiC pn structures by proton irradiation
机译:
质子辐照掺杂6H-SiC pn结构
作者:
Anatoly M.Strelchuk
;
Alexandre A.Lebedev
;
Vitali V.Kozlovski
;
Natali S.Savkina
;
Denis V.Davydov
;
Viktor V.Solovev
;
Marina G.Rastegaeva
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
6H-SiC;
Proton irradiation;
Lifetimes;
Compensation;
overcompensation;
10.
Effects of BF~+_2 implantation on the strain-relaxation of pseudomorphic metastable Ge)0.06Si_0.94 alloy layers
机译:
BF〜+ _2注入对假晶亚稳态Ge)0.06Si_0.94合金层应变松弛的影响
作者:
M.S.Oh
;
M.H.Joo
;
S.Im
;
H.B.Kim
;
H.K.Kim
;
J.H.Song
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Strain-relaxation;
Doping;
GeSi;
Leakage current;
11.
EPR study of a-Si structural relaxations
机译:
非晶硅结构弛豫的EPR研究
作者:
B.Pivac
;
B.Rakvin
;
R.Reitano
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Amorphous silicon;
Ion beam amorphisation;
Structural relaxation;
Electron paramagnetic resonance;
12.
Atomic-level characterisation of the structure of amorphised GaAs utilising EXAFS measurements
机译:
利用EXAFS测量对非晶GaAs结构进行原子级表征
作者:
M.C.Ridgway
;
C.J.Glover
;
G.J.Foran
;
K.M.Yu
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
GaAs;
Amorphous GaAs;
Extended X-ray absorption fine structure;
EXAFS;
Ion implantation;
13.
Comparative study of damage production in ion implanted III-V-compounds at temperatures from 20 to 420 K
机译:
离子注入III-V化合物在20至420 K温度下产生损伤的比较研究
作者:
E.Wendler
;
B.Breeger
;
Ch. Schubert
;
W.Wesch
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
InP;
GaAs;
GaP;
InAs;
Defect formation;
Critical temperatures;
14.
Synchrotron radiation glancing incidence X-ray diffraction: a tool for structural investigations of ion implanted glasses
机译:
同步辐射辐射掠入射X射线衍射:离子注入玻璃结构研究的工具
作者:
Federico zontone
;
Francesco DAcapito
;
Francesco Gonella
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
X-ray diffraction;
Metallic clusters;
Ion implantation;
15.
Thermal redistribution of Al implanted in Si: evidences for interactions with extended defects
机译:
注入硅中的铝的热再分布:与扩展缺陷相互作用的证据
作者:
Ch.Ortiz
;
J.J.Grob
;
D.Mathiot
;
A.Claverie
;
ch.Durbois
;
R.Jerisian
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Diffusion;
Gettering;
16.
Thermal stress resistance of ion implanted sapphire crystals
机译:
离子注入蓝宝石晶体的抗热应力性
作者:
V.N.Gurarie
;
D.N.Jamieson
;
R.Szymanski
;
A.V.Orlov
;
J.s.Williams
;
M.Conway
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Ceramics;
Thermal stress;
Fracture;
17.
Stability of cavities formed by He~+ implantation in silicon
机译:
He〜+注入硅形成腔的稳定性
作者:
F.Roqueta
;
A.Grob
;
J.J.Grob
;
R.Jerisian
;
J.P.Stoquert
;
L.Ventura
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Defects;
Voids;
Gettering;
18.
Optical and electrical characterizations of Mn doped p-type #beta#-FeSi_2
机译:
Mn掺杂的p型#beta#-FeSi_2的光学和电学表征
作者:
T.Takada
;
Y.Makita
;
T.Shima
;
T.Banba
;
K.Shikama
;
H.Sanpei
;
M.Hasegawa
;
A.Sandhu
;
Y.Hoshino
;
H.Katsumata
;
S.Uekusa
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
FeSi_2;
Doping;
Band-gap;
Optica;
absorption;
Electrical properties;
19.
Anomalous field dependence of deep level emission in proton irradiated silicon
机译:
质子辐照硅深能级发射的反常场相关性
作者:
Niclas Keskitalo
;
Anders Hallen
;
Paolo Pellegrino
;
Bengt G.Svensson
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
20.
Photoluminescence studies of neutron-transmutation-doped InP:Fe
机译:
中子trans杂InP:Fe的光致发光研究
作者:
B.Mari
;
M.A.Hernandez
;
F.J.Navarro
;
R.Fornari
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
InP;
NTD;
Photoluminescence;
Defects;
Hall effect;
21.
Peculiarities of defect generation in Si~+-implanted GaAs (211)
机译:
注入Si〜+的GaAs中缺陷产生的特殊性(211)
作者:
V.T.Bublik
;
S.B.Evgeniev
;
S.P.Ivanov
;
A.A.Kalinin
;
M.G.Milvidskii
;
A.W.Nemirovskii
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Implantation;
Defect;
Annealing;
Structure;
22.
Nucleation, growth and dissolution of extended defects in implatned Si:impact on dopant diffusion
机译:
内嵌硅中扩展缺陷的形核,生长和溶解:对掺杂扩散的影响
作者:
A.Claverie
;
L.F.Giles
;
M.Omri
;
B.de Mauduit
;
g.Ben Assayag
;
D.Mathiot
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Dopant diffusion;
Extended defects;
nucleation;
Ostwald ripening;
23.
AFM and STM investigation of carbon nanotubes produced by high energy ion irradiation of graphite
机译:
高能离子辐照石墨制得的碳纳米管的AFM和STM研究
作者:
L.P.Biro
;
C.I.Mark
;
J.Gyulai
;
K.Havancsak
;
S.Lipp
;
Ch.Lehrer
;
L.Frey
;
H.Ryssel
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Carbon nanotubes;
Atomic force microscopy;
Scanning tunneling microscopy;
Ion irradiation;
Vibrating carbon nanotube;
Focused ion beam;
24.
Modeling of the kinetics of dislocation loops
机译:
位错环动力学建模
作者:
E.Lampin
;
V.Senez
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Dislocation loops;
Nucleation;
Process simulation;
Boron anaomalous diffusion;
25.
Nanohardness and structure of nitrogen implanted Si_xAl_y coatings post-implanted with oxygen
机译:
氮气后注入氧的Si_xAl_y涂层的纳米硬度和结构
作者:
M.Jacobs
;
F.Bodart
;
G.Terwagne
;
D.Schryvers
;
A.Poulet
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Sialon;
Implantation;
Nitrogen;
Oxygen;
Profiles;
Nanohardness;
26.
Stability studies of Hg implanted YBa_2Cu_3O_6+x
机译:
汞注入YBa_2Cu_3O_6 + x的稳定性研究
作者:
J.P.Araujo
;
J.G.Correia
;
U.Wahl
;
J.G.Marques
;
E.Alves
;
V.S.Amaral
;
A.A.Lourenco
;
V.Galindo
;
T.von Papen
;
J.P.senateur
;
F.Weiss
;
A.Vantomme
;
G.Langouche
;
A.A.Melo
;
M.F. da Silva
;
J.C.Soares
;
J.B.Sousa
;
ISOLDE Collaboration
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Thin films;
High-T_c superconductors;
Doping;
Nuclear techniques;
27.
Shallow junctions in p-In_.53Ga_.47As by ion implantation
机译:
通过离子注入p-In_.53Ga_.47As中的浅结
作者:
M.N.Blanco
;
E.Redondo
;
c.Leon
;
J.Santamaria
;
G.Gonzalez-Diaz
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Rapid thermal annealing;
Electrical characterization;
Admittance spectroscopy;
28.
Si/Ge_x Si_1-x heterojunction bipolar transistors formed by Ge ion implantatin in Si. Narrowing of band gap and base width
机译:
Si / Ge_x由Si中的Ge离子注入形成的Si_1-x异质结双极晶体管。带隙和基极宽度的缩小
作者:
S.Lombardo
;
C.Spinella
;
S.U.Campisano
;
A.Pinto
;
P.Ward
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Heterojunction bipolar transistor;
Ion implantation;
SiGe alloys;
29.
Ion implantation in TiO_2:damage production and recovery, lattice site location and electrical conductivity
机译:
TiO_2中的离子注入:损伤产生和恢复,晶格位置和电导率
作者:
R.Fromknecht
;
I.Khubeis
;
S.Massing
;
O.Meyer
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Lattice disorder;
Radiation enhanced annealing;
Electrical conductivity;
TiO single crystals;
30.
Homogeneously size distributed Ge nanoclusters embedded in SiO_2 layers produced by ion beam synthesis
机译:
离子束合成产生的均匀分布在SiO_2层中的尺寸分布的Ge纳米团簇
作者:
A.Markwitz
;
L.Rebohle
;
H.Hofmeister
;
W.Skorupa
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
SiO_2;
Ge;
Nanoclusters;
TEM;
31.
Electro-optic coefficients in H~+-ion implanted LiNbO_3 planar waveguide
机译:
H〜+离子注入LiNbO_3平面波导中的电光系数
作者:
A.Boudrioua
;
S.Ould Salem
;
P.Moretti
;
R.Kremer
;
J.C.Loulergue
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
LiNbO_3;
Waveguides;
Electro-optical properties;
Protons;
32.
Magnetic behavior of Ni~+ implanted silica
机译:
Ni〜+注入二氧化硅的磁行为
作者:
O.Cintora-Gonzalez
;
C.Estournes
;
D.Muller
;
J.Guille
;
J.J.Grob
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Implantation;
Magnetization;
Nickel;
Nanoparticles;
UV-visible;
33.
Modification of a post-implantation defect activity for photovoltaic conversion
机译:
修改植入后缺陷活性以进行光伏转换
作者:
Z.T.Kuznicki
;
J.Thibault
;
F.Chautain-Mathys
;
L.Wu
;
S.Sidibe
;
S.de Unamuno
;
J.T.Bonarski
;
Z.Swiatek
;
R.Ciach
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion beam amorphization;
Defect activity;
electronic transport;
Photovoltaic conversion;
Planar nanostructure;
Bandgap, defect and stress engineering;
34.
Lattice location nad annealing behaviour of Pt and W implanted sapphire
机译:
铂和钨植入蓝宝石的晶格位置和退火行为
作者:
E.Alves
;
R.C. da Silva
;
M.F. da Silva
;
J.C.Soares
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
35.
Light particle irradiation effects in Si nanocrystals
机译:
Si纳米晶体中的光粒子辐照效应
作者:
G.A.Kachurin
;
M.-O.Ruault
;
A.K.Gutakovsky
;
O.Kaietasov
;
S.G.Yanovskaya
;
K.S.Zhuravlev
;
H.Bernas
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Embedded nanocrystals;
Light particle irradiation;
Electron microscopy;
Photo-luminescence;
36.
Imaging of implantation defects by X-ray topography combined with surface acoustic wave excitation
机译:
X射线形貌结合表面声波激发对植入缺陷的成像
作者:
E.Zolotoyabko
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
X-ray topography;
Synchrotron radiation;
Implantation;
Defect imaging;
37.
Ion beam and photoluminescence studies of Er and O implanted GaN
机译:
Er和O注入的GaN的离子束和光致发光研究
作者:
E.Alves
;
M.F. da Silva
;
J.C.Soares
;
R.Vianden
;
J.Bartels
;
A.Kozanecki
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
38.
Migration and interaction properties of ion beam generated point defects in c-Si
机译:
硅中离子束产生点缺陷的迁移和相互作用特性
作者:
Sebania Libertino
;
Salvatore Coffa
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Interstitial;
Vacancy;
Diffusivity;
Si;
Ion implantation;
In situ measurements;
Leakage;
39.
Hydrogen implantation defects in MgO
机译:
MgO中的氢注入缺陷
作者:
A.van Veen
;
H.Schut
;
A.V.Fedorov
;
E.A.C.Neeft
;
R.J.M.Konings
;
B.J.Kooi
;
J.Th.M. De Hosson
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Positron;
Ion implantation;
Hydrogen;
Deuterium;
Oxide;
40.
Formation of thin silicon nitride layers on Si by low energy N~+_2 ion bombardment
机译:
低能N〜+ _2离子轰击在Si上形成氮化硅薄层
作者:
V.I.Bachurin
;
A.B.Churilov
;
E.V.Potapov
;
V.K.Smirnov
;
V.V.Makarov
;
A.V.Danilin
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Nitrogen;
Silicon;
Bombardment;
Silicon nitride;
Depth profile;
41.
Formation of complex Al-N-C layer in aluminium by successive carbon and nitrogen implantation
机译:
通过连续注入碳和氮在铝中形成复杂的Al-N-C层
作者:
V.V.Uglov
;
N.N.Cherenda
;
V.V.Khodasevich
;
V.A.Sokol
;
I.I.Abramov
;
A.L.Danilyuk
;
A.Wenzel
;
J.Gerlach
;
B.Rauschenbach
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Successive implantation;
Aluminium nitride;
Aluminium carbide;
42.
Glancing incidence diffuse X-ray scattering studies of implantation damage in Si
机译:
硅中注入损伤的掠入射漫射X射线散射研究
作者:
K.Nordlund
;
P.Partyka
;
Y.Zhong
;
I.K.Robinson
;
R.S.Averback
;
P.Ehrhart
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Silicon;
Defect;
Defect clusters;
Amorphization;
Diffuse X-ray scattering;
43.
Formation of extended defects and strain relaxation in ion beam synthesised SiGe alloys
机译:
离子束合成SiGe合金中扩展缺陷的形成和应变松弛
作者:
F.Cristiano
;
A.Nejim
;
Yu.Suprun-Belevich
;
A.Claverie
;
P.L.F.Hemment
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Extended defects;
SiGe;
Ion beam synthesis;
Strain relaxation;
TEM;
44.
Fabrication of 110-aligned Si quantum wires embedded in SiO_2 by low-energy oxygen implantation
机译:
通过低能氧注入制备嵌入在SiO_2中的110取向Si量子线
作者:
Yukari Ishikawa
;
N.Shibata
;
S.Fukatsu
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Silicon;
Quantum wires;
SIMOX;
TEM;
45.
Electronic stopping power for Monte Carlo simultion of ion implantation into SiC
机译:
电子停止功率,用于蒙特卡罗模拟离子注入SiC
作者:
E.Morvan
;
P.Godignon
;
S.Berberich
;
M.Vellvehi
;
J.Millan
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Electronic stopping;
Ion implantation;
Silicon carbide;
Dopant profiles;
46.
Comparative study of ion implantation caused anomalous surface damage in silicon studied by spectroscopic ellipsometry and Rutherford backscattering spectrometry
机译:
椭圆偏振光谱法和卢瑟福背散射光谱法研究离子注入引起硅表面异常损伤的比较研究
作者:
T.Lohner
;
M.Fried
;
N.Q.Khanh
;
P.Petrik
;
H.Wormeester
;
M.A.El-Sherbiny
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Surface damage;
Ellipsometry;
Rutherford backscattering spectrometry;
Silicon;
47.
Controlling the density distribution of SiC nanocrystals for the ion beam synthesis of buried SiC layers in silicon
机译:
控制SiC纳米晶体的密度分布,以离子束合成硅中埋入的SiC层
作者:
J.K.N.Lindner
;
B.Stritzker
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion beam synthesis;
Nanocrystals;
SiC, Silicon;
Amorphization;
Ballistic effects;
48.
Dwell-time dependence of the defect accumulation in focused ion beam synthesis of CoSi_2
机译:
聚焦离子束合成CoSi_2中缺陷累积的停留时间依赖性
作者:
Lothar Bischoff
;
Stephan Hausmann
;
Matthias Voelskow
;
Jochen Teichert
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Focused Ion Beam;
Writing implantation;
CoSi_2;
Dwell time;
Defect accumulation;
Rutherford backscattering;
49.
Effect of oxygen on ion-beam induced synthesis of SiC in silicon
机译:
氧对离子束诱导硅中SiC合成的影响
作者:
V.V.Artamonov
;
M.Ya. Valakh
;
N.I.Klyui
;
V.P.Melnik
;
A.B.Romanyuk
;
B.N.Romanyuk
;
V.A.Yuhimchuk
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Silicon carbide;
Ion implantation;
Oxygen;
50.
Effects of hydrogen implantation into GaN
机译:
氢注入GaN中的作用
作者:
S.J.Pearton
;
C.R.Abernathy
;
R.G.Wilson
;
J.M.Zavada
;
C.Y.Song
;
M.G.Weinstein
;
M.Stavola
;
J.Han
;
R.J.Shul
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Hydrogen;
CaN;
Compensation;
Device isolation;
Defects;
51.
Effect of H~+ and O~+ implantation on electrical properties of SrBi_2Ta_2O_9 ferroelectric thin films
机译:
H〜+和O〜+注入对SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜电学性能的影响
作者:
Jianming Zeng
;
Chenglu Lin
;
Lirong Zheng
;
A.Pignolet
;
M.Alexe
;
E.Richter
;
D.Hesse
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ferroelectric thin films;
SrBi_2Ta_2O_9(SBT);
Ion implantation;
52.
Extended defects in Si wafers implanted with ions of rare-earth elements
机译:
注入稀土元素离子的硅晶片中的扩展缺陷
作者:
V.I.Vdovin
;
T.G.Yugova
;
N.A.Sobolev
;
E.I.Shek
;
M.I.Makovijchuk
;
E.O.Parshin
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Implantation;
Silicon;
Erbium;
Extended defects;
53.
Annealing behaviour of defects in helium implanted MGO
机译:
氦气注入MGO中缺陷的退火行为
作者:
H.Schut
;
A.Van Veen
;
F.Labohm
;
A.V.Fedorov
;
E.A.C.Neeft
;
R.J.M.Konings
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Positron;
Ion implantation;
Helium;
Ceramic;
Oxides;
54.
As-Al recoil implantation through Si_3N_4 barrier layer
机译:
通过Si_3N_4势垒层注入砷铝反冲
作者:
P.Godignon
;
E.Morvan
;
J.Montserrat
;
X.Jorda
;
D.Flores
;
J.Rebollo
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Aluminum dopant;
Recoil implantation;
Power devices;
55.
Synthesis of single-crystalline Al layers in sapphire
机译:
蓝宝石中单晶铝层的合成
作者:
W.Schlosser
;
J.K.N.Lindner
;
M.Zeitler
;
B.Stritzker
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Sapphire;
Aluminium;
buried layer;
Outdiffusion;
Epitaxy;
56.
TEM studies of the defects introduced by ion implantation in SiC
机译:
SiC中离子注入引入的缺陷的TEM研究
作者:
J.Grisolia
;
B.de Mauduit
;
J.Gimbert
;
Th.Billon
;
G.Ben Assayag
;
C.Bourgerette
;
A.Claverie
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
Semi-conductor doping. Electron microscopy;
Extended defects;
57.
Wave-ordered structures formed on SOI wafers by reactive ion beams
机译:
反应离子束在SOI晶片上形成的波序结构
作者:
V.K.Smirnov
;
D.S.Kibalov
;
S.A.Krivelevich
;
P.A.Lepshin
;
E.V.Potapov
;
R.A.Yankov
;
W.Skorupa
;
V.V.Makarov
;
A.V.Danilin
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Nitrogen;
Silicon;
Bombardment;
Surface topography;
Nanostructures;
58.
Thin amorphous gallium nitride films formed by ion beam synthesis
机译:
通过离子束合成形成非晶氮化镓薄膜
作者:
S.R.P.Silva
;
S.A.Almeida
;
B.J.Sealy
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Amorphous semiconductors;
Ion implantation;
Amorphous gallium nitride;
Thin films;
Silicon nitride;
59.
Plasma processing: a novel method to reduce the transient enhanced diffusion of boron implanted in silicon
机译:
等离子体处理:减少注入到硅中的硼的瞬态增强扩散的新方法
作者:
Giovanni Mannino
;
Francesco Priolo
;
Vittorio Privitera
;
Enrico Naplitani
;
Alberto Carnera
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Transient enhanced diffusion;
plasma etching;
60.
Optical properties of interacting Si nanoclusters in SiO_2 fabricated by ion implantation and annealing
机译:
离子注入和退火制备的SiO_2中相互作用的Si纳米团簇的光学性质
作者:
Tsutomu Shimizu-Iwayama
;
David E.Hole
;
peter D.Townsend
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Silicon;
Nanocluster;
Nanocrystal;
Ion Implantation;
Luminescence;
61.
Radiation damage-He interaction in He implanted Si during bubble formation and their evolution in voids
机译:
气泡形成过程中He注入Si中的辐射损伤-He相互作用及其在空隙中的演化
作者:
V.Raineri
;
S.Coffa
;
M.Saggio
;
F.Frisina
;
E.Rimini
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Silicon;
He;
Bubbles;
Voids;
Damage;
62.
Comparative study of ion implantation caused damage depth profiles in polycrystalline and single crystalline silicon studied by spectroscopic ellipsometry and Rutherford backscattering spectrometry
机译:
光谱椭圆偏光法和卢瑟福背散射光谱法研究离子注入引起多晶硅和单晶硅损伤深度的比较研究
作者:
P.Petrick
;
T.Lohner
;
M.Fried
;
N.Q.Khanh
;
O.Polgar
;
J.Gyulai
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Spectroscopic ellipsometry;
Polysilicon;
Ion implantation;
Rutherford backscattering spectrometry;
63.
Behaviour of implanted oxygen and nitrogen in halogen lamp annealed silicon
机译:
卤素灯退火硅中注入的氧和氮的行为
作者:
A.I.Belogorokhov
;
V.T.Bublik
;
K.D.Scherbachev
;
Yu.N.Parkhomenko
;
V.V.Makarov
;
A.B.Danilin
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Implantation;
Oxygen;
Nitrogen;
Ion beam synthesis;
Mutual redistribution;
64.
A novel (SiC)_1-x(AlN)_x compound synthesized using ion beams
机译:
利用离子束合成的新型(SiC)_1-x(AlN)_x化合物
作者:
J.Pezoldt
;
R.A.Yankov
;
A.Muecklich
;
W.Fukarek
;
M.Voelskow
;
H.Reuther
;
W.Skorupa
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion beam synthesis;
Silicon carbide;
Aluminum nitride;
Solid solutions;
Polypism;
65.
A simple way to analyze infrared reflectivity spectra of p-type Hg_0.78Cd_0.22Te implanted in various conditions
机译:
分析不同条件下注入的p型Hg_0.78Cd_0.22Te红外反射光谱的简单方法
作者:
P.Leveque
;
A.Declemy
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion implantation;
HgCdTe;
Infrared spectroscopy;
Defects;
66.
Modeling of Ge nanocluster evolution in ion-implanted SiO_2 layer
机译:
离子注入SiO_2层中Ge纳米团簇演化的建模
作者:
V.A.Borodin
;
K.-H.Heining
;
B.Schmidt
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Ion-beam synthesis;
Germanium;
Silicon dioxide;
Annealing;
Thin films;
Oxidation;
Modeling;
67.
Structural and optical characterization of Mn doped ZnS nanocrystals elaborated by ion implantation in SiO_2
机译:
SiO_2中离子注入制备的Mn掺杂ZnS纳米晶的结构和光学表征
作者:
C.Bonafos
;
B.Garrido
;
M.Lopez
;
A.Romano-Rodriguez
;
O.Gonzalez-Varona
;
A.Perez-Rodriguez
;
J.R.Morante
;
R.Rodriguez
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Nanocrystals;
ZnS precipitates;
Photoluminescence;
Self-organization;
SiO_2;
68.
Strain relaxation of epitaxial SiGe layers on Si(100) improved by hydrogen implantation
机译:
通过氢注入改善了Si(100)上外延SiGe层的应变弛豫
作者:
S.Mantl
;
B.Hollaender
;
R.Liedtke
;
S.Mesters
;
H.J.Herzog
;
H.Kibbel
;
T.Hackbarth
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
SiGe;
Molecular beam epitaxy;
Strain relaxation;
Cavities;
Bubbles;
69.
Stabilisation and phase transformation of hexagonal rare-earth silicides on Si(111)
机译:
Si(111)上六角形稀土硅化物的稳定和相变
作者:
A.Vantomme
;
M.F.Wu
;
S.Hogg
;
U.Wahl
;
W.Deweerd
;
H.Pattyn
;
G.Langouche
;
S.Jin
;
H.Bender
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
70.
Structural stability of ion bombarded non-metallic systems
机译:
离子轰击非金属系统的结构稳定性
作者:
P.M.Ossi
;
R.Pastorelli
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
71.
Residual defects in Cz-silicon after low dose self-implantation and annealing from 400 deg C to 800 deg C
机译:
低剂量自注入并在400℃至800℃退火后Cz硅中的残留缺陷
作者:
D.C.Schmidt
;
B.G.Svensson
;
S.Godey
;
E.Ntsoenzok
;
J.F.Barbot C.Blanchard
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Silicon;
Interstitial;
End-of-range;
Defect;
DLTS;
Vacancy;
72.
SiGe-on-insulator substrate fabricated by low energy oxygen implantation
机译:
通过低能氧注入制造的绝缘体上SiGe衬底
作者:
Yukari Ishikawa
;
T.Saito
;
N.Shibata
;
S.Fukatsu
会议名称:
《Ion implantation into semiconductors, oxides and ceramics》
|
1998年
关键词:
Silicon;
germanium;
Silicon compounds;
Semiconductor-on-insulator;
SIMOX;
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