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机译:具有超薄HfSiON介电栅极叠层的MOSFET中的电阻开关行为类似:pMOS和nMOS的比较和可靠性影响
Department of Electronic Engineering, Universitat Autonoma de Barcelona (UAB), 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain;
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机译:MOSFET中超薄的基于Hf的栅极堆叠中的介质击穿的类似电阻开关行为
机译:具有多晶硅栅电极的双高/ spl kappa /栅极电介质:nMOS上的HfSiON和pMOS上的Al / sub 2 / O / sub 3 /覆盖层
机译:Ni完全锗硅化物,用于具有HfSiON栅极电介质的pMOSFET的栅电极应用
机译:MOSFET中超薄Hf基栅堆叠中电介质击穿的电阻开关行为
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:具有超薄HfSiON介电栅极叠层的MOSFET中的电阻开关行为类似:pMOS和nMOS的比较和可靠性影响