机译:HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的双栅MOSFET中随机离散陷阱引起的阈值电压波动的解析模型
Vellore Inst Technol Sch Elect Engn Chennai Tamil Nadu India;
Interface traps; Oxide traps; High-k dielectric; Interfacial layer; DG MOSFET; Threshold voltage model;
机译:具有高k栅极电介质的对称双栅极MOSFET的新分析阈值电压模型
机译:双栅极MOSFET中RDF诱导阈值电压波动的分析模型
机译:双卤栅堆叠三材料双栅MOSFET阈值电压和漏极电流的二维分析模型
机译:基于迁移率和掺杂物数量波动的模型的比较分析,用于在存在随机陷阱和随机掺杂物的情况下估算45 nm沟道长度MOSFET器件中的阈值电压波动
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:具有堆叠高k栅极电介质的mOsFET的紧凑阈值电压模型
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响