抑制SiC MOSFET串扰的栅极驱动电路设计

摘要

cqvip:相较于硅(Si)器件,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有更高的开关频率,使得传统驱动下的SiCMOSFET桥臂串扰现象更加严重。为了抑制桥式电路中的串扰问题,在此基于有源串扰抑制方法,提出了一种改进型栅极驱动电路。首先,从理论上阐述了串扰产生的原理。其次,介绍了抑制串扰的驱动电路设计方法,分析了驱动电路的工作原理,给出了设计参数。最后搭建了双脉冲测试实验平台,通过实验验证了所提驱动电路对抑制串扰的有效性。