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邵天骢; 郑琼林; 李志君; 黄波; 刘建强;
北京交通大学电气工程学院 北京100044;
泰科天润半导体科技(北京)有限公司 北京100192;
碳化硅; MOSFET; 高开关速率; 栅极驱动; 短路保护;
机译:有效抑制浪涌电压和开关损耗:栅极驱动电路即使在MHz或更高频率下也能进行低损耗开关
机译:使用-5 V的栅极关断电压抑制100 kHz栅极开关操作下的SiC-MOSFET的PBTI
机译:一种新型的双通道谐振栅极驱动电路,可实现低栅极驱动损耗和低开关损耗
机译:一种新型栅极驱动电路,用于超低反馈电容SiC-VJFET的高速开启开关
机译:电荷陷阱对高k栅极堆叠中的迁移率和阈值电压不稳定性产生影响。
机译:用于中频到高功率应用的宽带隙半导体开关装置的驱动电路综述
机译:一种用于MOSFET低频开关的新型栅极驱动电路
机译:用于串联堆叠的栅极关断(GTO)器件的栅极驱动电路
机译:具有提高的对栅极电压纹波的容限的栅极驱动电路和具有该栅极驱动电路的显示装置
机译:具有改善的阈值电压偏移抑制能力的栅极线信号驱动电路或施加有高电压的开关元件
机译:栅极驱动电路的容差提高了,以使栅极电压纹波和显示设备具有相同的容差
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