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两种功率MESFET的Ids模型的比较及修正

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通过对两种常用FET的Ids与偏置之间函数关系模型比较,且根据实际中存在的问题,对这两种模型进行了修正,通过比较,确定了其中的一种修正方法是最为精确的,用修正的模型作为实际电路的模型.

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来源
《电力电子技术》 |2001年第1期|53-55|共3页
作者
吴龙胜; 刘佑宝;
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作者单位

西安微电子技术研究所,;

西安微电子技术研究所,;

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正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
模型; 计算; 精度;

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