低应力厚膜SOI晶片研究

摘要

利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片,并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力.该晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5 μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于95%,键合强度大于13.54 J/m2;表面应力小于12.6MPa,适用于MEMS器件.