As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究

摘要

文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨.同时,对Te、Cd在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究.计算结果表明,单个Cd或Te原子都可以稳定地吸附在清洁表面,但在As钝化表面,难以在钝化区域吸附生长.