原子层蚀刻3D结构：水平和竖直表面上Si和SiGe和Ge平滑度

摘要

本发明涉及原子层蚀刻3D结构：水平和竖直表面上Si和SiGe和Ge平滑度。本文描述了用于通过化学吸附、通过沉积或通过化学吸附和沉积机理两者与氧化物钝化结合来使用原子层蚀刻在衬底上蚀刻半导体材料的方法和装置。涉及使用化学吸附机理的原子层蚀刻的方法包括将半导体材料暴露于氯以将氯化学吸附到所述衬底表面上，以及将改性表面暴露于氩气以去除所述改性表面。涉及使用沉积机理的原子层蚀刻的方法包括将半导体材料暴露于含硫气体和氢气以沉积并由此改性衬底表面并去除改性表面。