MP-1型红外探测材料薄片研磨机

摘要

＜正＞ 为研制高探测率D红外探测器,对器件所选用的碲镉汞、碲锡铅、锑化铟以及钽酸锂芯片材料的研磨和抛光技术,提出了很高的要求。因这些材料多属质软、易碎、强度极低的化合物半导体。为适应被磨芯片质软、易碎、低强度的特殊性质和制作器件的特殊要求,不仅对芯片要求磨、抛到厚达0.02～5mm,而且要防止研磨过程中碎片,加工后晶体表面接近无损伤,避免因加工而引起的晶格位错和变形。目前国内生产的通用研磨机很难满足这些要求。1979年以来,我们着手研制精密红外探