光伏型InAsSb长波红外探测器材料、制备方法及红外探测器

摘要

本发明涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料、制备方法及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述制备方法只需在InAs衬底上生长n型InAsSb层，再通过离子注入或扩散掺杂元素形成p型InAsSb层，即可形成pn结。所述方法简单、可行且成本低，且制备的n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述红外探测器，通过在所述材料的基础上，制备台面，然后生长钝化膜及金属电极制得，比光导型长波红外探测器具有更高的探测灵敏度。