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机译:通过化学剥落多层MoS_2薄片获得的近红外光电探测器
Korea Inst Sci & Technol, Nanophoton Res Ctr, Hwarangno 14 Gil 5, Seoul 02792, South Korea;
Korea Inst Sci & Technol, Nanophoton Res Ctr, Hwarangno 14 Gil 5, Seoul 02792, South Korea;
Korea Inst Sci & Technol, Nanophoton Res Ctr, Hwarangno 14 Gil 5, Seoul 02792, South Korea;
Chemically exfoliated multilayer MoS2; Near-infrared (NIR) photodetector; Plasmonic structures;
机译:具有P型Cu-Zn-SN-S用于自动,快速高性能宽带光电探测器的P型Cu-Zn-Sn-S界面研究的界面研究
机译:基于几层MOS_2的近红外光电探测器,通过局部等离子体共振增强了灵敏度
机译:基于多层MoS_2的晶体管中的静电控制:第一性原理研究
机译:NO_2使用垂直对齐的MOS_2剥落网络在室温下感应
机译:硅金属半导体金属光电探测器:离子注入高速近红外光电二极管和位置敏感型光电探测器。
机译:多层PdSe2 /钙钛矿肖特基结用于快速自供电偏振敏感宽带光电探测器和图像传感器应用
机译:通过空间通过空间实现高度均匀的二维PBI 2薄片,限制物理气相沉积