新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性

摘要

研制了一种新模式的半导体场效应晶体管——垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET) ,这种结构可以避免现有光刻技术的制约 ,使用常规的半导体双极晶体管工艺 ,既可把有效沟道长度减短 ,大大提高器件的速度 ,又可将电源电压降低到小于 1 V,大幅度降低功耗 ,改进其电学性能 .本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路 .从纵向和横向报道了器件的设计思想 ,并给出了器件特性的测量结果 .