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伍振; 周琦; 潘超武; 杨宁; 张波;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
100 V p-GaN HEMT; 短路; 阈值电压; 陷阱; 热电子;
机译:各种栅极偏置应力条件下SiC MOS器件快速阈值电压漂移的准确评估
机译:InGaZnO薄膜晶体管在正栅极应力和热载流子应力下器件退化的比较研究
机译:重复短路测试下1.2 kV 4H-SiC MOSFET的退化研究
机译:3D集成蒙特卡洛器件仿真,在45 nm栅极长度MOSFET随机掺杂分布的情况下,随机陷阱在漏极电流和阈值电压中引起的退化
机译:GaN / AlGaN器件在关闭和开启状态下的退化建模机制
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:电流应力作用下GaN上HEMT器件的退化现象研究
机译:光伏电池可靠性研究:Terrestrail太阳能电池中加速应力因子和失效/退化机制的研究。第五次年度报告
机译:重复性热应力下提高功率器件工作可靠性的方法和电路
机译:在半导体器件的情况下,通过使用双支撑涂层,通过使用附加应力层,在电介质层之间的传输机制中改善了支撑
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