一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法(英文)

杨国勇; 王金延; 霍宗亮; 毛凌锋; 谭长华; 许铭真

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一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法(英文)

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在电荷泵技术的基础上 ,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对 p MOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用 ,并且这种方法得到了实验的验证 .结果表明对于 p MOS器件退化存在三种机制 :电子陷阱俘获、空穴陷阱俘获和界面陷阱产生 .需要注意的是界面陷阱产生仍然是 p MOS器件热载流子退化的主要机制 ,不过氧化层陷阱电荷的作用也不可忽视 .

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来源
《半导体学报》 |2003年第7期|673-679|共7页
作者
杨国勇; 王金延; 霍宗亮; 毛凌锋; 谭长华; 许铭真;
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作者单位

北京大学微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
MOS器件; 氧化层陷阱; 界面陷阱; 热载流子退化; 阈值电压;

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