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王巍; 秘俊杰; 曾勇; 王晓磊; 唐政维; 彭能;
重庆邮电大学光电工程学院;
重庆400065;
SiC; 埋沟MOSFET; 界面态; 平均迁移率;
机译:在77 K下工作的埋沟式PMOS器件的解析延迟关闭模型
机译:适用于全耗尽和部分耗尽SOI器件的连续紧凑型MOSFET模型
机译:基于物理的紧凑型器件模型,用于完全耗尽和几乎完全耗尽的SOI MOSFET
机译:包含多栅极累积,耗尽和反型效应的MOSFET解析表面电位模型
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:更正:使用解析肖特基势垒MOSFET模型分析黑磷晶体管
机译:埋沟NmOsFET中掺杂浓度对4H-siC CmOs器件电性能的影响
机译:金刚石耗尽型mOsFET的简单模型。 (重新公布新的可用性信息)
机译:埋沟型深耗尽沟道晶体管
机译:具有通用门控和沟道区域的互补增强和耗尽型MOSFET,耗尽型MOSFET也为JFET
机译:将增强型耗尽型累积/反相通道器件与MOSFET集成在一起
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