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胡梦月; 梁仁荣; 王敬; 许军;
清华大学微电子学研究所;
北京100084;
无结型晶体管; 沟道形状; 短沟道效应;
机译:界面层和金属功函数对铁电无结圆柱型环绕栅晶体管器件性能的影响
机译:屏蔽沟道双栅无结和结MOS晶体管的性能分析
机译:沟道长度缩放对无结场效应晶体管器件性能的影响
机译:无结栅全环绕场效应晶体管的硅和III-V沟道材料的性能分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:几何参数对P型无结横向栅极晶体管性能的影响
机译:几何参数对p型无结横栅晶体管性能的影响。
机译:砷化镓垂直沟道绝缘栅型场效应晶体管。
机译:用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值
机译:具有共源共栅部分的收缩型无结FinFET /纳米线/纳米片器件
机译:双栅沟道型绝缘栅双极晶体管器件
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