硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化

摘要

详细分析了RF集成电路硅衬底螺旋电感(SIOS)的一种物理模型,该模型考虑了衬底效应.通过MATLAB仿真,得出了衬底损耗对螺旋电感品质因数Q的影响.在此基础上对金属线宽和线间距进行了严格的数值优化,实现了在设计要求不变的前提下螺旋电感Q的优化,并进一步推导出了最优化线圈宽度的近似解析式.采用优化结果进行设计,可以使Q得到明显提高.