一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究

刘红侠; 郑雪峰; 韩晓亮; 郝跃; 张绵

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一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究

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通过研究应力前后GaAs PHEMT器件电特性的测量,分析了GaAs PHEMT退化的原因,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线.对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系,由此可以对GaAs PHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估.进一步改进GaAs PHEMT的击穿电压,将需要严格控制沟道中的碰撞电离.

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来源
《物理学报》 |2003年第10期|2576-2579|共4页
作者
刘红侠; 郑雪峰; 韩晓亮; 郝跃; 张绵;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071;

信息产业部十三所,石家庄,050002;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
高电子迁移率晶体管; 碰撞电离率; 可靠性评估;

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