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童建农; 邹雪城; 沈绪榜;
华中科技大学图像所IC设计中心,武汉,430073;
华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430073;
槽栅MOSFET; 拐角效应; 阈值电压; 热载流子退化;
机译:深亚微米槽栅NMOSFET的结构与热载流子效应抗性的关系研究
机译:栅源极和栅漏极凹槽对GaAs骆驼状栅场效应晶体管的影响〜1
机译:三栅晶体管拐角效应的综合研究
机译:基于聚苯胺的电位离子传感器和新型浮栅场效应晶体管(FGFET)上蛋白质结合的研究
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:沿着自动流体润滑的人纹槽槽轴承产生的压力分布,带有梯形凹槽
机译:受限横流中的螺旋槽管和增强管。第1部分.FlowInside凹槽管。最终报告,1987年8月至1990年9月
机译:场效应晶体管P型场效应晶体管的形成方法,包括用包括晶格常数的半导体材料填充衬底中的凹槽,并在填充的凹槽上方形成栅电极
机译:辊栅用于覆盖空间有限的凹槽,例如凹槽,通道,槽等。
机译:在深亚微米CMOS技术中提高厚栅氧化物接地栅NMOSFET的ESD鲁棒性的注入方法
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