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孙自敏;
中国电子学会;
MOS器件;
机译:使用AlN / SiN作为钝化层和栅后凹槽沟道保护层,具有提高的沟道迁移率和动态性能的栅凹槽常关GaN MOSHEMT
机译:栅凹槽结构对超快速基于InP的HEMT高频性能的影响-非对称栅凹槽的制造和表征
机译:等离子体诱导的“硅凹槽结构”及其对高级MOSFET阈值电压可变性的影响的研究
机译:具有低接触电阻和改进的栅极控制的晶片尺度制造和表征凹槽PTSE2 MOSFET
机译:荧光d(CGCGAATTCGCG):主要凹槽极性的表征和通过主要凹槽语义电泳共轭物研究较小凹槽相互作用的研究。
机译:CMP中晶圆与焊盘之间的浆液流动的计算研究:无凹槽,圆形凹槽和径向凹槽的情况(流体工程)
机译:弹性流体动力学接触。凹槽和凹槽对牵引力和局部薄膜厚度的影响。
机译:壳体组件,其包括连接到拐角部分的壁,包括在壁上的凹槽部分,该凹槽部分容纳拐角部分的螺柱
机译:滚子轴承的保持架,特别是径向轴承的保持架,有两个相邻的凹槽,用于容纳相应的滚子主体,这些凹槽由沿轴向延伸的杆分开,凹槽的形状在拐角处有底切
机译:具有嵌入式栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),该栅电极具有第一凹槽部分和第二凹槽部分以改善漏极击穿电压
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