大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

赵淑云; 吴春亚; 刘召军; 李学冬; 王中; 孟志国; 熊绍珍; 张芳

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大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

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用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.

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来源
《物理学报》 |2006年第11期|6095-6100|共6页
作者
赵淑云; 吴春亚; 刘召军; 李学冬; 王中; 孟志国; 熊绍珍; 张芳;
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作者单位

南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津,300071;

南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津,300071;

南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津,300071;

南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津,300071;

南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津,300071;

南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津,300071;

南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津,300071;

科技部高技术研究发展中心,北京,100044;

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正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
金属诱导晶化; 化学源; 多晶硅; 薄膜晶体管;

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