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王文; 孟志国;
香港科技大学电机电子工程系,香港九龙清水湾;
镍; 金属诱导晶化; 多晶硅; 薄膜晶体管; 显示器; 低温电子技术;
机译:金属诱导的横向晶化制造低温多晶硅薄膜晶体管
机译:金属诱导的横向结晶过程中镍源对低温多晶硅TFT的几何效应
机译:Ni厚度对Ni诱导非晶硅横向晶化的多晶硅TFT截止态电流的影响
机译:用于显示应用的优化重晶金属诱导的横向结晶多晶线硅薄膜晶体管的特性和稳定性
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:镍金属诱导的横向结晶结晶多晶硅膜的结构表征
机译:低温金属诱导的含锰非晶Ge薄膜的晶化
机译:B(sup +)离子注入诱导多晶Ni薄膜非晶化的结构研究
机译:使用两种具有不同晶化速度的金属通过金属诱导的横向晶化来形成非晶半导体薄膜的晶化方法,以及使用相同的方法制造薄膜晶体管的方法
机译:利用金属腐蚀终止工艺制造金属诱导的横向晶化MILC薄膜晶体管的方法
机译:金属诱导的多晶薄膜晶体管的晶化的系统和方法
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