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陈俊芳; 吴先球; 王德秋; 丁振峰; 任兆杏;
华南师范大学物理系;
中国科学院等离子体物理研究所;
氮化硅; 薄膜; ERR-PECVD; 沉积工艺;
机译:用UPS,XPS和椭圆偏振光谱法对ECR-PECVD沉积的a-C1-xNx:H薄膜的表面电子性质进行实验研究
机译:栅介质用CeO_2薄膜的制备和电学表征:化学气相沉积与原子层沉积工艺的比较研究
机译:沉积温度对MWECR-PECVD制备的Si_3N_4薄膜结构的影响
机译:低温电弧气相沉积(LTAVD)工艺制备的以TiO2薄膜为绝缘体的MIS电容器的研究
机译:使用ECR-PECVD的氢化非晶硅锗薄膜和器件的高生长速率沉积。
机译:低温空间原子层沉积工艺制备高透明性和结晶性的氧化锌薄膜
机译:通过ECR-pECVD沉积的无定形sixCyN薄膜
机译:常规铬薄膜,非晶光亮铬沉积(aBCD)薄膜,N +注入aBCD薄膜的表征研究和使用丙酸作为有机添加剂制备aBCD薄膜
机译:制造太阳能电池的薄膜沉积工艺模块,制造太阳能电池的薄膜沉积工艺系统以及薄膜沉积工艺模块的清洁方法
机译:薄膜沉积工艺和装置,用于薄膜沉积工艺的FTIR气体分析仪以及用于薄膜沉积工艺的混合气体供应装置
机译:薄膜沉积工艺和装置,在薄膜沉积工艺中使用的红外气体分析仪以及在薄膜沉积工艺中使用的混合气体供应装置
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