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杨建义; 周强;
浙江大学信息与电子工程学系;
Ⅲ-Ⅴ族; 化合物半导体; 光波导调制器; 微波特性;
机译:LiNbO / sub 3 /电光调制器中行波电极的微波特性
机译:用于化合物半导体行波电光调制器的速度匹配电极:实验结果
机译:使用微波缓冲层进行速度匹配的聚合物中行波调制器的微波特性
机译:40Gb / s集成电吸收调制器的DFB激光器的高频特性:行波电极和倾斜小平面的影响
机译:高速铌酸锂强度调制器的行波电极设计
机译:额颞高级神经胶质瘤的共平面与非共平面强度调制放射治疗(IMRT)和体积调制弧光治疗(VMAT)治疗计划
机译:利用行波电吸收调制器中的微波谐波频率同时进行160-Gb / s多路分解和时钟恢复
机译:Gaas行波光调制器使用具有周期交叉覆盖层的调制共面电极。
机译:电信中使用的声光纤调制器由光波导和具有平面电极的层系统组成,平面电极包括具有压电特性的材料
机译:基于铁磁性Ⅳ族的半导体,铁磁性Ⅲ-Ⅴ族的化合物半导体或铁磁性Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体及其铁磁特性的调节方法
机译:具有行波电极的马赫曾德尔光学调制器,该行波电极具有分布式接地桥接结构
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