法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-05
授权
授权
2010-12-22
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/38 申请日:20090127
实质审查的生效
2010-11-10
公开
公开
机译: III族氮化物半导体晶体的制造方法,氮化镓系化合物半导体的制造方法,氮化镓系化合物半导体,氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该半导体发光元件的光源
机译: 制备III族氮化物基化合物半导体的方法,包括III族氮化物基化合物半导体的晶片和III族氮化物基化合物半导体器件
机译: III族氮化物基化合物半导体,III族氮化物化合物半导体衬底的制造方法和III族氮化物半导体器件