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黄如; 王阳元;
北京大学微电子所;
栅控混合管; 栅控电流; 双极电流; 集成电路; MOS型;
机译:具有背栅控制的纳米超薄体和埋入氧化物SOI MOSFET的阈值电压和界面理想因子的解析模型
机译:垂直非均匀掺杂硅膜的短栅SOI MESFET阈值电压的解析模型
机译:薄SOI上的横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)的解析模型
机译:SOI栅控混合晶体管(GCHT)中的背栅偏置效应
机译:SOI形成的扭曲型Si双晶中的晶界结构和高电流密度在SOI中激活掺杂剂。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:高增益In2se3中的栅控光电流产生机制 光电晶体管
机译:低混合电流驱动器垂直温度增强的解析模型
机译:用于保护电控电路的绝缘栅双极晶体管免受短路和过电流影响的保护装置,其接线单元的电流输出连接在晶体管的发射极和集电极之间
机译:产生栅控源,该栅控源借助分隔的粒子发射电子以确定栅孔
机译:横向绝缘栅双极型晶体管及其配置方法,能够控制从集电极注入的空穴电流的路径
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