SOI退火推进型栅控混合管的实验研究

摘要

本文讨论了一种SOI退火推进型栅控混合管（DGCHT）的设计与制备．实验结果表明，这种混合管与以前提出的混合管相比，可在不需要亚微米工艺情况下，实现短沟，并仍具有驱动能力大，亚阈摆幅小，导通电压低等特点；虽然栅极使基区表面耗尽，Early效应仍较小；虽具有较高的电流增益，仍改善了击穿特性，可望实现截止频率及击穿电压之间的良好折中．本文同时对这种器件的Early效应及高电流增益下的击穿特性作了理论分析．由DGCHT组成的反相器可在1V电源电压下工作．兼之SOI材料的固有特点，DGCHT器件可望具有较小的功耗延迟积，适用于低压低功耗电路，同时其较大的电流增益使其在模拟电路方面也将极具潜力．