半桥式功率输出级中高速低功耗低侧管的实现

摘要

本文提出了一种动态地控制IGBT阳极短路的结构，并把这种结构用于具有高低侧驱动和半桥式功率输出级的功率集成电路低侧管中.这种结构使得功率输出级低侧管导通时工作于IGBT模式，关断过程中工作于MOS模式，因而具有导通压降小、关断速度快的优点，有效地解决了功率管导通电阻和关断速度之间的矛盾.在不改变工艺，不降低耐压，不增加电路元件的前提下，实现了低侧管的高速低功耗.