GaN外延结构中微区应变场的测量和评价

王俊忠; 吉元; 田彦宝; 牛南辉; 徐晨; 韩军; 郭霞; 沈光地

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GaN外延结构中微区应变场的测量和评价

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采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量CaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FIT)提取菊池花样的衍射强度,识别CaN外延结构中的应变/无应变区域.

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来源
《电子学报》 |2008年第11期|2139-2143|共5页
作者
王俊忠; 吉元; 田彦宝; 牛南辉; 徐晨; 韩军; 郭霞; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100124;

北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100124;

北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100124;

北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124;

北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124;

北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124;

北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124;

北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124;

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正文语种 chi
中图分类微波混合集成电路（微波集成电路）;
关键词
电子背散射衍射(EBSD); 微区应力; CaN外延层;

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