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多晶发射极超增益晶体管

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用多晶发射极工艺制成了超增益晶体管,当Ic从1mA减小到20nA时,hFE始终保持在2000左右。

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来源
《电子学报》 |1981年第2期|39-39|共1页
作者
张全; 朱恩均;
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作者单位

北京电子管厂;

北京电子管厂;

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正文语种 chi
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