文摘
英文文摘
论文说明:缩略表
声明
第一章绪论
1.1引言
1.2 SiGe HBT的研究历史
1.3 SiGe HBT的国外研究状况
1.4 SiGe HBT的国内研究状况
1.5 SiGe HBT的研究意义和研究趋势
1.6本课题的主要工作
第二章SiGe HBT的理论基础
2.1 SiGe异质结的性质
2.1.1 SiGe合金的晶格常数与界面晶格失配
2.1.2 SiGe合金的禁带宽度
2.1.3 SiGe合金的介电常数
2.1.4 SiGe合金的有效态密度
2.1.5 SiGe合金载流子的迁移率
2.1.6 Si、Ge以及SiGe合金的能带结构
2.2 SiGeC的性质
2.2.1 Si1-x-yGexCy的应变补偿特性
2.2.2 SiGeC的能带偏移和带隙
2.2.3 SiGeC层的生长
2.3 SiGe HBT器件原理
2.3.1直流特性
2.3.2交流特性
2.3.3噪声特征
2.3.4fT和BVCEO、VA的制约关系
2.4本章小结
第三章器件结构的设计
3.1器件结构分类
3.1.1 DBAG结构
3.1.2 IBM结构
3.1.3台面结构
3.1.4平面结构
3.1.5台面自对准结构
3.1.6平面自对准结构
3.1.7超自对准结构
3.2器件结构纵向设计
3.2.1发射区设计
3.2.2基区设计
3.2.3集电区设计
3.3器件结构横向尺寸设计
3.4 SiGe HBT的尺寸缩小与寄生效应
3.4.1 SiGe HBT的纵向尺寸缩小
3.4.2 SiGe HBT的横向尺寸缩小
3.4.3横向尺寸缩小与纵向尺寸缩小的结合
3.5本章小结
第四章工艺仿真与实验
4.1发射极As激活的仿真与流片
4.1.1器件仿真
4.1.2流片验证
4.2 SiGeC的仿真与流片
4.2.1器件仿真
4.2.2流片验证
4.3选择性集电极注入(SIC)
4.4本章小结
第五章一种SiGe HBT器件的优化设计
5.1工艺仿真
5.2器件结构设计
5.3 SiGe HBT器件的主要工艺流程
5.4流片结果
5.5分析讨论
5.6优化后再次流片
5.7本章小结
第六章结论
致谢
附录
参考文献
附件
重庆邮电大学;