Si3N4薄膜对集成晶体管特性的影响

摘要

本文研究了用不同的制备方法,以及制备不同厚度的Si3N4膜对集成晶体管电流增益的影响,取得了能明显地提高电流增益的最佳Si3N4膜厚及其制备的方法。通过对硅片平整度和少子寿命的测试,估计了Si3N4膜对硅片因热氧化而引起的表面应力的补偿作用,发现电流增益提升效果最佳的Si3N4膜与最佳的表面应力补偿相对应,这时的硅片少子寿命最长。