纯氧低温原位溅射沉积PZT铁电薄膜

摘要

利用自制的PZT(55/45)烧结陶瓷靶材,在纯氧、高溅射气压条件下成功地原位沉积出无焦绿石相的PZT铁电薄膜.为了弥补靶材在烧结过程中Pb的挥发及溅射沉膜过程中Pb含量过低而导致膜成份偏离化学计量比,加入以Pb0标准计量,过量5.0％重量的Pb3O4.通过实验发现:当最佳靶-基片距离一定时,其成份偏析Pb/(Zr+Ti)的比例随最佳靶-基片距离的偏差增加而降低.PZT铁电薄膜的XRD分析表明,PZT铁电薄膜中存在Pb0和TZ0固溶型氧化物.但是铁电性测量表明,PZT铁电薄膜的Pr 达到14.1 μc/cm2,Ec较小,Ec与PZT(55/45)烧结陶瓷靶材的值相当,其电滞回线具有很好的对称性。