半导体生产

摘要： 1背景数字化和微电子正成为生活领域的重要组成部分,并导致半导体行业在几年内就成为了全球经济的驱动力。然而,在行业飞速发展的同时,制造商却面临着难以满足客户要求日益严格的挑战。半导体生产是一种高度复杂的工艺,涉及数百个工序。由于尺寸特殊且非常精密,几乎无法手动生产集成电路。此外,生产对纯度、洁净度和功能性提出了严格要求。因此,半导体工厂需要高度自动化、智能互联、模块化且灵活的生产理念。

摘要： 近年来,城市副中心有序承接北京非首都功能疏解,深层次重构产业结构和产业布局,“专精特新”工业企业已涵盖高精尖产业的全部8个制造业,产品种类百花齐放并登陆国际市场。其中,全国首家III-IV族(读音:三五族)化合半导体生产企业北京通美晶体技术股份有限公司拟在上交所科创板上市,全力打造中国“北方硅谷”。

摘要： 近日,为应对半导体设备人力供需失衡的挑战,晶圆代工厂商联电在中国台湾地区南科晶圆12A厂P5厂区设立的半导体设备学院正式开幕。机台设备是半导体生产的基石,联电共同总经理简山杰表示,随着公司持续扩产、新机台进驻,对半导体设备工程师的需求日益增加。联电表示,预计1年内完成600位设备工程师培训,并从2023年推广至联电其他厂区。

摘要： 拜登正式签署芯片法案8月9日,美国总统拜登在白宫签署《芯片和科学法案》。该法案将为美国半导体生产和研发提供巨额补贴,希望以此推动芯片制造产业落地美国,加强美国在科技领域的全球竞争力。白宫当天发布声明称,该法案将为美国半导体研发、制造以及劳动力发展提供527亿美元。

摘要： 直到现在,半导体生产还缺乏一个完整自动化概念的核心部分。库卡现在将康耐视提供的带有图像处理功能的机器人抓取系统安装在运输载体上,从而实现了晶圆运输的自动化,包括搬运。半导体的性能决定了产业创新的步伐。这适用于工业自动化,也适用于智能建筑技术和汽车行业。

摘要： 据媒体7月15日最新报道,日本知名半导体制造企业富士电机宣布,在2021会计年度下半年(即2021年10月份至2022年3月份)期间,该公司原有的半导体生产工厂——日本青森县工厂将设立一条新的8吋晶圆生产线,着力生产车用功率半导体。

摘要： 三星电子是世界一流电子公司,《财富》世界500强企业位列第19位(2021年)。三星(中国)半导体有限公司(SCS)是改革开放以来中国电子信息行业最大的海外投资公司,也是三星电子在海外投资的唯一一个集储存芯片制造、封装测试于一体的工厂。自2012年9月落户陕西以来,先后投资约260亿美元建设了高端储存芯片一期、二期项目以及封装测试项目。在三星等企业的带动下,陕西已经成为全球最重要的半导体生产基地。

摘要： 韩国全南科技园陶瓷产业孵化中心扶持培育的阶梯式成长企业-世元热喷涂技术株式会社与韩国政策研究所共同自主研发成功半导体生产用涂层材料,可替代日产进口材料。世元热喷涂技术株式会社作为专业的热喷涂生产企业,2012年入驻韩国全南科技园陶瓷产业孵化中心,配备并使用尖端的设备研发。

摘要： 探讨空气中的化学分子对半导体或液晶产品的潜在影响,空气分子污染降低了产品良率.阐述空气中化学分子的种类及来源,并对如何处理与监控进行了分析,可为新建半导体厂提供案例参考.

摘要： 无菌药物生产的一个持续工程挑战是尽可能降低污染风险。众所周知,操作人员是洁净室中最大的污染源,越来越多的共识是,消除人工干预的自动化系统是无菌加工的未来。制药行业专家指出:传统自动化和机器人自动化在其它行业(如半导体生产和无菌食品加工)以及药品包装和仓储中的成功应用,表明制药行业应该克服其不愿改变的态度。这种转变已经在灌装/精加工过程中开始,并且正在进--步向上游转移到其它无菌生产步骤。机器人技术尤其被用于药物配制和封闭、无手套的隔离器。

摘要： 半导体生产工业是目前发展最快的产业之一。测量时延普遍存在于批次生产过程中.该时延不仅会影响系统的稳定性,而且影响晶圆的加工质量.此外,该测量时延也是随机变化的.为克服该问题,本文提出一种基于扩张状态观测器和T-S模糊模型的批间控制算法.首先用扩张状态观测器构建批间控制器,再利用T-S模型来修整控制器,对随机时延的变化.最后以混合制程仿真验证本文算法的有效性.

摘要： 在半导体生产过程中，硅片表面金属离子的污染可使二极管、晶体管性能变差，反向饱和电流迅速加大，甚至有可能使整个管子报废，器件完全失效。因此，分析测试硅片表面金属离子的含量对监控硅片表面的清洁度至关重要。 本工作采用HF+HN03溶解硅片表面金属离子，再用ICP-MS法对溶液中6个重要金属离子进行检测.

摘要： 目前半导体和磁盘驱动器洁净室担心的最大的问题是悬浮分子污染.悬浮的分子污染包括酸、碱、凝聚化合物和搀杂剂,它们导致许多半导体在生产步骤中产量的减少,如预氧化、硅铝化、触点成型和深紫外线光学微影术.随着线性尺寸逐渐变小,分子污染的影响更大了.这篇文章将回顾一下工业上传统的解决悬浮分子污染的方法,并且讨论一种新开发的迎合新工业要求的微细玻璃纤维滤材。

摘要： 目前半导体和磁盘驱动器洁净室担心的最大的问题是悬浮分子污染.悬浮的分子污染包括酸、碱、凝聚化合物和搀杂剂,它们导致许多半导体在生产步骤中产量的减少,如预氧化、硅铝化、触点成型和深紫外线光学微影术.随着线性尺寸逐渐变小,分子污染的影响更大了.这篇文章将回顾一下工业上传统的解决悬浮分子污染的方法,并且讨论一种新开发的迎合新工业要求的微细玻璃纤维滤材。

摘要： 目前半导体和磁盘驱动器洁净室担心的最大的问题是悬浮分子污染.悬浮的分子污染包括酸、碱、凝聚化合物和搀杂剂,它们导致许多半导体在生产步骤中产量的减少,如预氧化、硅铝化、触点成型和深紫外线光学微影术.随着线性尺寸逐渐变小,分子污染的影响更大了.这篇文章将回顾一下工业上传统的解决悬浮分子污染的方法,并且讨论一种新开发的迎合新工业要求的微细玻璃纤维滤材。

摘要： 目前半导体和磁盘驱动器洁净室担心的最大的问题是悬浮分子污染.悬浮的分子污染包括酸、碱、凝聚化合物和搀杂剂,它们导致许多半导体在生产步骤中产量的减少,如预氧化、硅铝化、触点成型和深紫外线光学微影术.随着线性尺寸逐渐变小,分子污染的影响更大了.这篇文章将回顾一下工业上传统的解决悬浮分子污染的方法,并且讨论一种新开发的迎合新工业要求的微细玻璃纤维滤材。

摘要： 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。

摘要： 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。

摘要： 本发明涉及用于生产单晶硅半导体晶片的方法、用于进行该方法的设备以及包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片。所述方法包括在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向具有初始高度hm的所述熔体的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从所述生长的单晶和所述熔体之间的相界区域的上方加热所述熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热所述熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和从所述单晶分离所述单晶硅半导体晶片。

摘要： 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，该倒装芯片型半导体背面用膜包含基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量在70重量％-95重量％范围内的无机填料。

摘要： 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件背面上，所述膜在波长532nm或1064nm处的透光率为20％以下，并在激光标识后，该膜标识部分与除标识部分外的其它部分的对比度为20％以上。

摘要： 公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量为该膜热固化前总体积的2体积%至30体积%。因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，因此该膜用于保护半导体元件。另外，因为倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量大于或等于该膜热固化前的总体积的2体积%，因此该膜在将半导体元件倒装芯片连接至物体时能够有效地抑制或防止半导体元件翘曲。

摘要： 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。

摘要： 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。

摘要： 本发明涉及用于生产单晶硅半导体晶片的方法、用于进行该方法的设备以及包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片。所述方法包括在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向具有初始高度hm的所述熔体的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从所述生长的单晶和所述熔体之间的相界区域的上方加热所述熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热所述熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和从所述单晶分离所述单晶硅半导体晶片。

摘要： 本发明涉及一种方法，其包括将衬底晶片以所述衬底晶片的背面的边缘区域放置至基座的承载面上；通过以下方式用所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片装载所述沉积室：接触所述基座，并且将所述基座和位于所述基座上的所述衬底晶片从装载锁定室运输至所述沉积室中；在所述衬底晶片上沉积外延层；通过以下方式卸载所述沉积室：接触所述基座，并将所述基座和具有外延层的半导体晶片从所述沉积室运输至所述装载锁定室中，所述半导体晶片已在沉积所述外延层的过程中被生产并且位于所述基座上。