半导体器件

摘要： 多晶硅在国内发展近20年后首次收获国家优质工程奖,为其今后的更大规模扩产提供了更加强大的信心多晶硅是全球电子工业及光伏产业的基石,其在半导体器件、集成电路(IC)以及太阳能电池芯片等领域发挥受到国家“双碳”战略长期利好,以及全球光伏产业快速发展的刺激,国内厂商对多晶硅市场的信心更加坚固,自2021年年初开始,新的多在不远的将来中国多晶硅产能将达到250万吨以上。

摘要： 中国南方电网公司粤港澳大湾区直流背靠背广州工程正式投运。该系列工程建成后,将显著提升广东电网电力供应和配置能力,预计2022年支撑西电东送电量将不低于1883亿千瓦时。南方电网广东电网基建部副总经理谢榕昌表示:“大湾区直流背靠背工程有非常多的创新,它是世界上最先进的新一代柔性直流背靠背工程,具备异同步联络、容量最大并在直流多馈入负荷中心分区互联等多项世界领先技术。同时,广州工程也首次实现了绝缘栅双极型晶体管(以下简称IGBT)国产化比例至50%。”

摘要： 安世半导体(Nexperia)是全球半导体行业公认的基础半导体器件生产专家,持续稳定地大批量生产超越业界质量标准的高效产品。安世半导体连续在2020和2021年参加中国国际进口博览会,借此机会我们特别专访了安世半导体全球销售资深副总裁张鹏岗,请他介绍安世如何运用逻辑电路、分立器件和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)方面的最新技术推动全世界电子设计的发展。

摘要： 《电子与封装》杂志是目前国内唯一一本以半导体.集成电路封装技术为主兼顾半导体器件和IC的设计与制造、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的专业技术性刊物,是中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊、中国半导体行业协会封装分会会刊。为促进我国半导体封装测试乃至集成电路设计、制造专业技术水平的提高和生产技术的发展,加强技术交流和信息沟通、特向广大读者和专家诚征下列内容稿件。

摘要： 提出了一种基于改进UNet网络的金丝球焊焊点精确分割与测量的新方法。改进UNet网络由编码器和解码器两部分构成,其中编码器主要用来提取图像特征,使用在ImageNet数据集上预训练分类网络的卷积模块权重初始化编码器部分,可以在不增加训练数据的情况下,加速网络训练且避免过拟合;解码器主要是结合深层特征和浅层特征以实现精确分割,使用改进的多尺度卷积模块替换原网络中的单尺度卷积模块,使解码器能综合利用不同感受野的特征,进一步提升网络的分割精度。实验结果表明,改进UNet网络与原始UNet网络相比,其测试集分割交并比和F分数分别提升了2.04%和1.58%,且直径测量平均误差从7.734μm降低到1.435μm,满足实际检测需求。

摘要： 5G受到追捧是有充足的理由的。根据CCS Insight的预测,到2023年,5G用户数量将达10亿;2022年底,5G蜂窝基础设施将承载近15%的全球手机流量。高能效、尺寸紧凑、低成本、高功率密度和高线性度是5G基础设施对射频半导体器件的硬性要求。对于整个第三代半导体技术,尤其是氮化镓(GaN),5G开始商用是一大利好。与硅、砷化镓、锗、甚至碳化硅器件相比,GaN器件的开关频率、输出功率和工作温度更高,适合1-110 GHz的高频通信应用,涵盖移动通信、无线网络、点对点和点对多点微波通信,以及雷达应用。

摘要： CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体(ST)宣布一项新的合作协议,四家公司计划联合制定行业的下一代 FD SOI(全耗尽型绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD SOI 能够为设计人员和客户系统带来巨大的好处,包括更低的功耗以及更容易集成更多功能,例如通信连接和安全保护。对于汽车、物联网和移动应用而言,这些优势是FD SOI技术的一个重要特质。

摘要： 集成电路产业是信息技术产业的核心,是移动通信、物联网、人工智能和大数据等重要产业的硬件基础。近年来,随着高速通信、高精度传感和大规模无线互联等新应用和新需求的急速增加,对高性能、低功耗和低成本的射频集成电路提出了更高的要求。因此需要学界开展半导体器件及射频集成电路的理论研究,在设计方法、拓扑架构和性能提升技术等方面进行创新,从而实现高性能、低功耗和低成本的射频集成电路。

摘要： 随着碳中和和碳达峰问题越来越重要,作为耗电大户的电机控制系统对能效的要求越来越高,电机控制系统的设计以及相关的半导体器件提出了全新的要求。为了进一步降低电机的功耗,罗姆在坚持不懈地开发效率更高、功率更低的功率元器件以及驱动器技术。

摘要： 2月10日,苏州东微半导体股份有限公司(688261.SH)正式登陆上交所科创板。东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,有着优秀的半导体器件与工艺创新能力,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。

摘要： 静电放电损伤是导致半导体器件失效的重要原因,因此静电放电损伤失效分析对于判断半导体器件失效的原因,制定改善措施具有重要的作用.通过半导体器件静电放电失效分析典型案例进行收集和研究,总结静电放电失效分析定位的主要技术和静电放电损伤的判断方法,并给出静电放电损伤失效分析建议.

摘要： 本文研究了功率脉冲驱动下半导体器件瞬态温升特性.在理论计算模型的基础上,分别通过红外和电学法两种方法测量了器件在不同脉宽脉冲下的温升和热阻.结果表明:两种测量方法测量出的热阻基本吻合.在相同的占空比下,脉冲脉宽的时间越长热阻越大;在相同脉宽时间下,占空比越大,热阻越大.器件的温度虽然随着脉冲的高低电平呈现相同的起伏,但是器件温度的整体趋势呈现上升状,并且随着时间的增长,上升幅度减缓,并趋近趋于稳定.实验表明脉冲工作下的热阻与稳态工作条件下热阻有较大的差异.

摘要： 陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料.随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求.本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景.阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望.

摘要： 近年来,半导体器件为实现高功能化和高集成化,使得布线更微细,结构更复杂,芯片尺寸大型化.同时,为实现高密度安装,出现了SMT工艺,要求封装件向小型化薄型化发展.另一方面为了满足高功能半导体多引线化的要求还出现了多引线大型封装.芯片的封装技术种类实在是多种多样,芯片的封装技术己经历经好几代的变迁,技术指标一代比一代先进,包括芯片面积与封装面积之比越来越接近,适用频率越来越高,耐温性能越来越好,以及引脚数增多,引脚间距减小,重量减小,可靠性提高,使用更加方便等等,都是看得见的变化.

摘要： 基于Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体器件在照明、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景,近年来受到越来越多的关注和重视.在过去的十多年里,不同波段的化合物半导体材料先后被研发出来,以LED和LD为代表的光电子器件因此得以迅猛发展.本文从半导体光电子器件角度出发,针对全光谱LED和VCSEL的研究进展和应用状况等方面,分别阐述探讨了全光谱LED和VCSEL的产业发展趋势.

摘要： 在半导体行业中,静电放电是导致半导体器件失效的主要原因之一,接地连接系统作为静电防护系统中基础环节,起着重要的保障作用.深入分析半导体工艺的前道工艺流程和后道加工过程,设计了生产过程所需的防静电接地系统架构.依据Q/QJA118～123标准,研究了接地电阻测量原理,提出了两种接地电阻的“辅助电极法”和“环线法”,能够满足半导体行业设计人员、检测人员需求.避免了由于接地布局不正确或接地电阻测量不准确而给产品带来的静电损伤,最终保证半导体产品的全生命周期达到最佳静电防护效果.

摘要： 本文论述了阻燃环氧树脂在电子封装领域的应用和发展动态.并概述了对现代电子封装用环氧树脂的阻燃新要求.

摘要： 本文论述了阻燃环氧树脂在电子封装领域的应用和发展动态.并概述了对现代电子封装用环氧树脂的阻燃新要求.

摘要： 本文论述了阻燃环氧树脂在电子封装领域的应用和发展动态.并概述了对现代电子封装用环氧树脂的阻燃新要求.

摘要： 本文论述了阻燃环氧树脂在电子封装领域的应用和发展动态.并概述了对现代电子封装用环氧树脂的阻燃新要求.

摘要： 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

摘要： 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。

摘要： 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

摘要： 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

摘要： 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括将氧化且溶解处理对象（20）的处理液（19）供给处理对象（20）表面上的供给工序；以及将形成有通孔及/或非通孔的催化剂材料（17）设成接触或接近至处理对象（20）的表面的配置状态的配置工序。根据该半导体器件的制造方法，并非具有如迄今为止任意性高，也就是，再现性低的形状，而是通过预先使催化剂材料（17）具有所需的形状，即可稳定地制造出具备具有一定水准的凹凸形状、或纳米级的微结晶状或多孔状的层的半导体层或半导体衬底的半导体器件。

摘要： 本发明涉及一种半导体器件用基板的清洗液，该清洗液的pH为8以上11.5以下，该清洗液含有：成分(A)：含有选自由下述通式(1)～(3)所表示的化合物组成的组中的至少一种的化合物；成分(B)：抗坏血酸；成分(C)：多元羧酸或羟基羧酸；成分(D)：pH调节剂；以及成分(E)：水。(所述式中，R

摘要： 本发明的目的是有效地吸收电源噪声并实现电路的稳定工作。本发明提供了一种半导体器件，包括：包括MOS结构的旁路电容，具有一栅极电极，该栅极电极被形成为从电源线区延伸到在邻接电源线区并不具有其它功能层的空区下设置的部分并经由电容绝缘膜形成于具有一种导电类型的扩散区上；和形成在地线区之下并固定基板电势的基板接触，其中旁路电容具有与在栅极电极表面上形成的电源线接触的触点并具有彼此连接的具有一种导电类型的扩散区和基板接触的扩散区。

摘要： 提供能够保持良好的电接触来进行具有微细电极构造的被测试电子部件的测试的半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法及半导体器件的制造方法。该半导体测试装置包括：测试电路(13)，将测试信号输入输出到被测试电子部件；测试信号布线(12)，与该测试电路电连接；接触基板(5)，与被测试电子部件的电极电连接，配有传送测试信号的导电通路(6)，设置有用绝缘性材料形成的、有上表面和下表面的至少一个以上的通孔；多层布线基板(7)，与导电通路和测试信号布线电连接，配置有在接触基板的下表面上的至少一个以上的通孔(9)；以及吸附机构(11)，吸附并保持被测试电子部件、接触基板、以及多层布线基板。