纳米器件

摘要： 国内新闻北京大学电子学院在高速柔性电路研究中取得重要进展近日,北京大学电子学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡-彭练矛联合课题组以碳纳米管网络薄膜作为半导体材料,充分利用碳纳米管材料迁移率高、机械性能好等优势,通过尺寸缩减实现了高性能柔性晶体管。

摘要： 纳米技术是在纳米尺寸(通常介于1~100纳米之间)上理解物质的科学。纳米技术涉及纳米器件在各种应用中的制造、操作、技术、材料、模式和使用研究。如今,纳米技术被广泛用于开发不同类型的生物传感器[1]。不同纳米材料也显示出独有的特征,包括化学、物理和表面效应。

摘要： 随着电子器件特征尺寸的减小,其翻转阈值也在降低,使得空间中的高能电子或可诱发纳米器件产生翻转效应.文章选用28 nm的V7型FPGA作为研究对象,分别采用能量为0.2 MeV和1.5 MeV、注量率为5×108～1×109/(cm2·s)的电子进行辐照,结果表明试件产生了明显的翻转效应.结合高能电子作用28 nm器件的仿真结果,经分析可知,1.5 MeV能量的单个电子与器件碰撞不能发生核反应;针对高能电子诱发器件存储单元翻转的几种可能机理,初步认为该器件的翻转是由多个电子同时作用到其中形成局部电荷累积导致的.因此可见,对于电子能量高、通量大的木星等星体的辐射带环境,需考虑高能电子诱发纳米器件翻转对航天器的影响.

摘要： 在传统二端忆阻器的理论基础上,提出了一种四端忆阻器的模型.该器件的4个端口分别对应于MOS场效应晶体管的栅、源、漏和衬底4个极,可以代替数字电路中的MOS晶体管实现电路功能.利用Verilog-A对该模型的电学特性进行了描述,在Hspice软件环境中利用该模型构建了与非、或非等逻辑电路以及1 bit数据的1R-1R随机存取电路,并搭建外围电路对其进行了功能验证,在仿真层面实现了四端忆阻器在数字电路方面的简单应用,实验结果符合预期.作为一种纳米器件,与MOS晶体管相比,四端忆阻器的尺寸更小、功耗更低.在CMOS工艺尺寸渐渐趋于极限的今天,对四端忆阻器的应用是一个具有一定合理性的发展方向.

摘要： 2020年11月,我校光电与通信工程学院陈钺颖副教授与北京大学信息科学技术学院电子学系碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇-彭练矛联合课题组,共同研发成功一款异质集成石墨烯磁传感器,并作为共同第一作者在著名期刊《美国化学学会·纳米》(2020年影响因子为14.588)上发表论文《基于石墨烯霍尔元件与硅基工艺电路异质集成的超灵敏磁传感器》(Ultrasensitive Magnetic Sensors Enabled by Heterogeneous Integration of Graphene Hall Elements and Silicon Processing Circuits)。

摘要： 纳米材料由于其独特的光、电、磁、力学等性质,成为了构建功能材料与器件的理想基元.实现纳米粒子的精确组装,是探究粒子之间的耦合聚集性质和制备宏观功能器件的基础.但是由于纳米粒子的小尺寸以及在溶液中运动的随机性与复杂性,精准控制纳米粒子组装体的形貌以及在空间中的相对位置仍存在巨大挑战.为了将纳米粒子组装成理想的有序结构,许多控制粒子组装的策略与方法得到发展.本文首先概述了纳米粒子自组装的控制方法与典型形貌,着重分析了影响粒子精准排布的因素与控制方法,并对纳米粒子及其组装体的光学性质与器件应用的最新研究进展进行了讨论,最后对目前纳米粒子精准组装所面临的挑战以及未来发展的方向进行了展望.

摘要： "纳米器件单粒子效应敏感区重离子微束定位分析技术"项目由国家自然科学基金重大项目支持。2020年,项目组对1种新型的单粒子效应敏感区甄别技术——二次光子微探针技术(IPEM)开展了深入研究,提出了具有较高探测效率的IPEM光子传输和光子探测系统设计方案,并从理论上讨论了IPEM系统关键指标的若干影响因素。

摘要： 北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡研究员课题组与香港理工大学纺织及制衣学系郑子剑教授课题组针对新型可穿戴织物压力传感器展开合作研究,实现了可洗涤的基于纳米摩擦发电机的织物压力传感器。

摘要： 新材料:涉及磁性材料、海洋材料、功能材料与纳米器件、高分子与复合材料、材料设计与材料计算等领域;先进制造:涉及制造信息技术、精密制造工艺与系统、机器人与智能制造装备、复合材料制造与装备、器件制造与系统集成等领域。

摘要： 2020年3月26日,瑞士洛桑联邦理工学院(Ecole Polytechnique Feddrale de Lausanne,EPFL)电力与宽带隙电子研究实验室(POWERlab)的Elison Matioli教授团队宣布研制了一款纳米器件,该器件可以在皮秒内生成极高功率的信号,从而生成大功率的太赫兹波。

摘要： 本试验以小白菜为材料，用纳米器件处理小白菜的种子，或在其生长过程中，浇灌用纳米器件处理过的水，研究纳米器件不同处理方式对小白菜生长和品质的影响。试验结果表明，与对照相比，利用纳米器件处理，能提高小白菜的产量和品质，其中T2 处理（将种子与纳米器件同时浸种3小时）效果最好。

摘要： 本文综述第一性原理计算在可靠性物理中尤其是在新电子材料和纳米器件失效机理研究中的应用,包括对电子材料失效机理解释、失效过程模拟、缺陷影响分析、材料筛选、简单元器件的筛选和设计等.第一性原理计算在从微观尺度上研究新材料、纳米器件的失效机理和失效过程已发挥重要的作用,并通过对电子材料的筛选、设计以及简单元器件的设计为提高电子器件可靠性提供理论依据和指引.随着计算机技术的发展和与人工智能技术的结合,第一性原理计算将能更深刻地反映新电子材料和纳米器件失效机理和过程.

摘要： 纳米器件在滑动接触过程中,由于比表面增大,粘着效应显著,造成很高的粘附磨损从而使器件很快失效,很难应用于工程实际.纹理表面的引入,可以减小实际接触面积,降低粘着效应,但研究过程中发现纹理表面可能会降低磨损或加剧磨损,如何合理设计纹理表面,降低微/纳器件间的表面磨损,对于提高产品寿命,实现微/纳器件的更广泛应用,有着重要的理论意义和应用价值.本项目旨在研究纳观纹理表面往复滑动接触的磨损机理,为提高纳米器件使用寿命提供理论指导,并为低磨损纹理表面的优化设计提供参考.

摘要： 手性是自然界中广泛存在的一种现象,仿生制备单一手性功能材料的研究最近引起了越来越多的关注.可控制备单一手性纳米结构和更高级次的自组装结构,并以此为基础构筑纳米器件,不仅有利于不仅阐明手性在不同尺度和级次间传递的机理、发挥纳米结构单元的协同效应,并将对研究手性相关的特殊物理性能的起到重要作用.围绕手性共轭聚合物在自组装形成过程中的手性传递和放大这一基本科学问题,开展了手性结构调控、手性异质结构制备和手性传感器件的构筑方面的研究.

摘要： 基于长期的研究，提出了Li-N双受主共掺杂的方法，实现了低阻稳定的P型ZnO，进而制备出ZnO基同质p-n结LED， EL发光波长在380 nm附近，并较为稳定.并介绍了Al、Mg掺杂形成的合金薄膜。ZnO等氧化物材料具有各种不同形态的纳米结构.包括纳米棒、纳米线、纳米管、纳米树等。采用热蒸发、水浴法等方法，制备出ZnO. CO2O3, SnO等氧化物纳米材料和石墨烯等碳基纳米材料，进而制备出各种复合材料。采用上述纳米材料，制备出LED.紫外探测器、场效应晶体管(FET)等纳米光电子和电子器件;上述纳米材料还应用于超级电容器、传感器件(气敏、湿敏、温敏、生物传感等)、催化应用(光催化降解有机物、氧化催化有害气体、光催化制氢等)，也取得很好的效果。

摘要： 微/纳米器件表面微观粗糙结构间由于液体介质存在而引起的弯月面力和黏着力是导致器件精度降低乃至失效的主要原因之一.文章建立了微/纳米尺度上球面-平面接触的物理模型,推导出弯月面力和黏着力的计算公式,分析了微/纳米表面分离过程中两接触表面分离距离、初始弯月面高度、润湿性能、分离时间等因素对弯月面力和黏着力的影响,为研究微/纳米表面抗黏着机理提供了理论依据.

摘要： 微/纳米器件表面微尺度粗糙结构间由于液体介质存在而引起的弯月面力和黏着力是导致器件精度降低乃至失效的主要原因之一。文章建立了微/纳米尺度上球面-平面接触的物理模型，推导出弯月面力和黏着力的计算公式，分析了微/纳米表面分离过程中两接触表面分离距离、初始弯月面高度、润湿性能、分离时间等因素对弯月面力和黏着力的影响，为研究微/纳米表面抗黏着机理提供了理论依据。

摘要： 电子束光刻邻近效应校正技术是采用电子束直写光刻技术开展纳米器件和集成电路研制中的关键技术。虽然电子束光刻系统具有纳米级的电子束斑，但由于电子束的电子与抗蚀剂及基片的固体原子碰撞产生的散射和背散射电子的作用，在邻近电子束入射点的相当大的半径内感光胶也将受到不同程度的曝光，严重影响电子束描绘图形的实际分辨能力，即使是纳米级的电子束斑也很难写出比较理想的几十纳米集成电路图形。本文重点介绍纳米级电子束直写光刻中邻近效应校正技术问题，包括电子束光刻邻近效应剂量调制校正技术和参数提取技术；电子束光刻工艺及衬底材料优化抑制邻近效应影响的措施；电子束邻近效应校正技术数据处理及邻近效应校正软件应用技术等。

摘要： 随着高集成度、高速度和低功耗集成电路的不断发展，半导体器件的特征尺寸由微米级逐渐进入到纳米级，量子效应对器件的影响越来越大，一些全新的纳米电子器件不断被开发出来，并在生物学、医学、国防等领域展现出前所未有的应用前景。然而纳米技术的研究大多集中于开发高灵敏度等高性能的纳米材料或器件。关于嵌入式纳米尺度能源装置的研究还在起步阶段，但是现今纳米电子设备对这种能源装置的需求却与日俱增，基于单电子存储器的纳米压电陶瓷电源便是为解决此问题而提出的一种新型纳米器件。本文以压电学和纳米电子学为理论依据，在对常规尺寸多层压电陶瓷电源分析的基础上，进一步研究基于单电子存储器的纳米压电陶瓷电源的设计方案与研制方法。

摘要： 主要介绍了纳米MOSFET器件微波射频建模和参数提取技术的最新研究进展。建模技术主要包括小信号等效电路模型和噪声模型，参数提取技术主要包括寄生元件，本征元件和噪声参数确定技术，并利用实验验证了建模和参数提取技术的正确性.

摘要： 本发明涉及一种电子器件，包含衬底(1)、至少一个半导体纳米线(2)和介于该衬底(1)和所述纳米线(2)之间的缓冲层(3)。该缓冲层(3)至少部分地由从其延伸出纳米线(2)的氮化过渡金属层(9)形成，所述氮化过渡金属选自：氮化钒、氮化铬、氮化锆、氮化铌、氮化钼，氮化铪或氮化钽。

摘要： 提供纳米线器件(7，14，25，38，40)以及用于形成这类器件的方法。该方法包括形成沿圆周包围半导体纳米线(1，10，20，30)的应力体层(6，13，23，33)。执行方法使得由于应力体层，纳米线受到径向和纵向应变中的至少一种应变以增强纳米线中的载流子迁移率。可以单独或者一起使用径向和纵向应变分量并且可以使径向和纵向应变分量各自变成拉伸或者压缩，从而允许制定所需应变特性以用于给定器件的纳米线中的增强传导率。

摘要： 本发明为了提供一种能够有效地产生碳纳米管的各种电特性或物理特性的碳纳米管器件，因此，本发明提供的碳纳米管器件是在基体的表面上至少以任意的图案形成构成多个碳纳米管相互交联的网状结构的所述碳纳米管结构体层，并提供了可以适合其制造的碳纳米管器件的制造方法。

摘要： 本发明提供一种良好且高重复性的使碳纳米管和电极进行欧姆接触的碳纳米管器件的制作方法，及被欧姆接触了的碳纳米管器件。碳纳米管器件的制作方法，包含使碳纳米管与内部电极连接的连接工序，其特征在于，上述连接工序包含：导体附着工序，在针状或者棒状的外部电极的端部或其周边附着导体；配置工序，使上述碳纳米管与上述内部电极的预定的连接部位接触或者接近地配置；接近工序，使附着了导体的上述外部电极的端部与上述连接部位接近；转移工序，使附着在上述外部电极上的导体向上述连接部位或其周边移动，以使上述碳纳米管和上述内部电极连接。

摘要： 本发明公开了一种纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法，其中该纳米材料发光器件包括基座、设置于所述基座上的发光件、以及安装在所述基座上的管帽；所述管帽上开有一出光孔，且所述出光孔上安装一光学器件，所述光学器件上设置有滤光涂层，所述滤光涂层为纳米材料涂层。本发明的纳米材料发光器件及纳米材料发光器件的封装方法中，管帽上开的出光孔上安装光学器件，光学器件上的纳米材料涂层具有滤光效果佳、光能利用率高的优点。

摘要： 本发明涉及一种电子器件，包含衬底(1)、至少一个半导体纳米线(2)和介于该衬底(1)和所述纳米线(2)之间的缓冲层(3)。该缓冲层(3)至少部分地由从其延伸出纳米线(2)的氮化过渡金属层(9)形成，所述氮化过渡金属选自：氮化钒、氮化铬、氮化锆、氮化铌、氮化钼，氮化铪或氮化钽。

摘要： 本发明公开了一种纳米MOS器件的制备方法，其制备的栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；并且该方法是通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线(即金属栅)，而不需要利用高分辨率的光刻技术来形成金属半导体化合物纳米线，因而大大节约了成本；同时，还公开了一种纳米MOS器件，其栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能。

摘要： 提供了纳米器件、包括该纳米器件的晶体管、制造该纳米器件的方法，以及制造包括该纳米器件的晶体管的方法。该纳米器件包括衬底、位于衬底上并具有至少一个开口的掩模层，以及穿过所述开口沿开口的边缘在衬底上形成的纳米管。所述纳米管在与衬底的表面基本垂直的方向延伸穿过开口。

摘要： 提供了纳米器件、包括该纳米器件的晶体管、制造该纳米器件的方法，以及制造包括该纳米器件的晶体管的方法。该纳米器件包括衬底、位于衬底上并具有至少一个开口的掩模层，以及穿过所述开口沿开口的边缘在衬底上形成的纳米管。所述纳米管在与衬底的表面基本垂直的方向延伸穿过开口。

摘要： 本发明公开了一种裁剪金属纳米结构和组装纳米器件及对纳米器件原位表征的方法。裁剪和组装成纳米器件的方法，在扫描电子显微镜下原位完成，包括以下步骤：(1)将导电探针与金属纳米结构通过导线短路连接，控制导电探针靠近并接触金属纳米结构；(2)移动所述导电探针使其离开所述金属纳米结构，同时断开所述的短路连接；(3)移动所述导电探针使其靠近所述金属纳米结构，使得所述金属纳米结构局部熔化并部分转移、附着到所述导电探针的尖端，形成尖端附着有所述金属纳米结构的纳米器件以及在所述金属纳米结构尖端形成纳米球的金属纳米结构。还提供了原位表征的方法以获得微结构‑电学性能关系。本发明提供的方法具有极大的参考价值和应用潜力。