CMOS传感器

摘要： 佳能主打视频拍摄的微单相机——EOS R5C日前已正式发布。这款产品在外观上沿袭了EOS R5的设计风格,核心上采用了同款的CMOS传感器,并加入了主动散热功能。核心功能方面,佳能EOS R5C采用4500万像素8K全画幅CMOS传感器和DIGIC X图像传感器,可以做到最快20张/秒的最快连拍功能,配合它的全像素双核CMOS AF II对焦系统,可以对目标进行智能识别以及追踪。另外,佳能EOS R5C还支持8K/60P录制,在Cinema Raw Light格式下能够捕获到更大的动态范围。这款相机拥有三种Cinema Raw Light格式视频模式,分别为HQ、ST以及LT,也就是高质量、标准质量以及普通质量,而且三种模式都是12bit。另外,佳能EOS R5C同时也支持10bit 422的4K/120P录制,在录制超清视频时还可以同步录制声音。

摘要： LC35显微相机配有350万像素的CMOS传感器、多种曝光时间和分辨率模式,可提供质量上乘的明场图像,具有很高的性价比。LC35相机灵活变通,可在不同观察条件下检测多种样品,可提供常规成像、检测和记录所需的细节。其高达每秒40帧(fps)的帧率可加快在样本周围的导航速度,实现精准对焦,并快速捕获图像。

摘要： 试用读者:Dino ROCWARERC08全高清音视频一体化摄像机采用了一颗1/2.8英寸的CMOS传感器,等效像素为207万,焦距F=2.8mm,支持ToF激光对焦,并且支持手动和自动白平衡调节,带背光补偿,支持4X数字变焦。另外它还有特殊的功能:一键切换竖屏横屏模式,长按背部触控键8秒就能切换。

摘要： 同时或准同时多谱线太阳成像观测可以获得太阳大气三维磁场和热力学参数,是未来太阳观测焦面终端设备的重点发展方向。傅里叶光谱仪具有宽波段、高灵敏度、高光谱分辨率的优势,但因受限于高帧频、大面阵探测器制约,尚未用于太阳光谱成像常规观测。随着CMOS图像传感器技术迅猛发展,在可见光和近红外波段,探测器面阵大小和帧频相比传统CCD探测器有了质的提升,使得面阵傅里叶太阳光谱仪研制成为可能。通过引入高帧频面阵CMOS图像传感器,针对面阵傅里叶变换太阳光谱仪科学需求,设计了一套高速数据采集软硬件系统,实现了面阵傅里叶太阳光谱仪10 kHz高速触发,万帧/秒快速采集,0.5 GB·s^(-1)大数据量连续、实时存储等功能。在此基础上,依托国家天文台怀柔太阳观测基地现有的IFS-125HR傅里叶变换光谱仪,搭建可见光实验系统,以可见光色球谱线(Hα656.3 nm)及其附近光球谱线为目标波长,开展面源太阳光谱探测。分别以实验室钨灯和太阳为光源,进行等光程差间隔采样,成功获得了面阵干涉图,首次反演得到面源窄带连续谱以及656.3 nm附近太阳色球和光球线。采用交叉定标方式,将得到的太阳光谱与美国国立太阳天文台NSO傅里叶变换光谱仪获得的标准光谱在同等分辨率下进行比较,结果基本一致,验证了新研制的面阵傅里叶太阳光谱仪高速数据采集系统性能及面阵傅里叶变换太阳光谱仪在太阳观测中的可行性。该研究为后续可见光宽波段面阵傅里叶太阳光谱仪的研制奠定了技术基础,同时为“用于太阳磁场精确测量的中红外观测系统”(AIMS)后续从线源扩展到面源观测积累了宝贵经验。

摘要： 设计一种应用于CMOS传感器模拟前端的可编程增益放大器(programmable gain amplifier,PGA),该PGA以CMOS传输门开关电路和直流失调补偿电路组成反馈网络,通过调节反馈电阻进而控制PGA的增益变化,实现6dB的步长,0~60dB的增益范围.基于TSMC 0.18μm工艺对提出的PGA电路进行仿真验证,实现在0~60dB范围内以6dB为步进的增益变化,且增益误差小于调节精度的1/2LSB,能够完成CMOS图像传感器模拟输入信号的处理.

摘要： 某型国外引进装备的电视摄像机成像组件随着使用年限的增加,成像面出现老化、灵敏度下降,光电转换后的图像变模糊、成像质量下降,针对上述问题开展国产化研究.通过逆向工程结合数字成像技术,利用CMOS传感器设计出国产化成像组件,替代原摄像机中硅靶摄像管成像组件成像,经装机验证满足引进装备的使用要求.

摘要： 工厂和物流仓库进入自动化年代,带动了高效无人操作工业系统的需求,特别是用于导向机器人和机器(用于物件辨识、导向、高速和精准度)的3D视觉技术.市场上存在多种3D技术,每种各有优缺点和配合技术,大部分取决于应用需求.所有的这些技术都需要具有精密功能的高效传感器.Teledyne e2v包括3D视觉的解决方案系列,以服务诸如工厂自动化、物流和测量.其高性能CMOS影像传感器的技术结合超过10年在飞行时间系统方面的经验,可应对3D视觉方面的种种挑战.

摘要： 堡盟CX系列又添新成员——搭载第四代Sony CMOS传感器Pregius S的CX相机,分辨率高达2400万像素。这款尺寸为29×29mm的紧凑型相机像元尺寸仅为2.74μm,采用背照式像素结构,具有超高的分辨率、卓越的图像质量和更高的灵敏度,确保稳定可靠的图像分析,非常适合用于细致的表面检测或小尺寸物体测量。

摘要： 目前的"猫眼"目标激光主动探测系统尽管发射功率大,探测距离远,但普遍存在质量较大、灵活性差的缺点.为增强灵活性,减少作战反应时间,确保对目标发现即摧毁,可在步枪智能瞄具中集成小功率"猫眼"目标主动探测系统,与现有系统形成优势互补.由于智能瞄具搭载了小型激光测距仪及CMOS图像传感器,因此本文根据其硬件特点,设计了一种利用小功率激光器发射伪随机编码激光脉冲序列、CMOS传感器同步采集数据,通过相关运算提取目标信息的抗干扰"猫眼"目标探测方法,并进行了理论分析与实验验证.实验结果表明,该方法具有较强的稳定性和抗干扰能力,能够使智能瞄具在较复杂的背景中发现"猫眼"目标.

摘要： 参考价格:约48500元拥有令人惊叹的价格和性能的新旗舰索尼新推出的旗舰级全画幅无反型号参数性能十分强劲,如果要列出这台相机的所有关键特性,真的能写一本书了。简要来说,这台相机使用了5010万像素全画幅堆栈背照式CMOS传感器,其微透镜采用无间隙设计,像素电路也采用了分层设计。图像处理器则使用了更先进的Bionz XR处理器,处理能力达到了上代产品的8倍。

摘要： 本文主要阐述了一种基于FPGA的图像采集与存储方案.本系统针对CMOS系列传感器,将前端CMOS传感器的高速串行LVDS信号转换为CMOS并行接口,并将前端的图像数据实时存储于NAND FLASH中,存储帧率每秒最高可以达到一千帧以上.首先对整个系统的结构与工作原理进行介绍,然后又针对LVDS与CMOS并行接口转换和图像存储的具体实现进行了详细阐述,并给出了LVDS与CMOS并行接口转换和图像存储模块的仿真结果.

摘要： 本文主要阐述了一种基于FPGA的图像采集与存储方案.本系统针对CMOS系列传感器,将前端CMOS传感器的高速串行LVDS信号转换为CMOS并行接口,并将前端的图像数据实时存储于NAND FLASH中,存储帧率每秒最高可以达到一千帧以上.首先对整个系统的结构与工作原理进行介绍,然后又针对LVDS与CMOS并行接口转换和图像存储的具体实现进行了详细阐述,并给出了LVDS与CMOS并行接口转换和图像存储模块的仿真结果.

摘要： 本文主要阐述了一种基于FPGA的图像采集与存储方案.本系统针对CMOS系列传感器,将前端CMOS传感器的高速串行LVDS信号转换为CMOS并行接口,并将前端的图像数据实时存储于NAND FLASH中,存储帧率每秒最高可以达到一千帧以上.首先对整个系统的结构与工作原理进行介绍,然后又针对LVDS与CMOS并行接口转换和图像存储的具体实现进行了详细阐述,并给出了LVDS与CMOS并行接口转换和图像存储模块的仿真结果.

摘要： 本文主要阐述了一种基于FPGA的图像采集与存储方案.本系统针对CMOS系列传感器,将前端CMOS传感器的高速串行LVDS信号转换为CMOS并行接口,并将前端的图像数据实时存储于NAND FLASH中,存储帧率每秒最高可以达到一千帧以上.首先对整个系统的结构与工作原理进行介绍,然后又针对LVDS与CMOS并行接口转换和图像存储的具体实现进行了详细阐述,并给出了LVDS与CMOS并行接口转换和图像存储模块的仿真结果.

摘要： 采用最新推出的紫外波段灵敏CMOS传感器,构建基于FPGA高速同步采集系统,结合Ebert-Fastic光学系统及三透镜光路,研制全谱式交直流电弧发射光谱仪,取代1m平面光栅摄谱仪.通过分析条件的优化地质硅酸盐样品的方法Ag检出限达到0.0069ug/g,Sn检出限达到0.133ug/g,B检出限达到0.568.可以满足地质1∶25万化探要求.仪器性能得到了很大提升.

摘要： 采用最新推出的紫外波段灵敏CMOS传感器,构建基于FPGA高速同步采集系统,结合Ebert-Fastic光学系统及三透镜光路,研制全谱式交直流电弧发射光谱仪,取代1m平面光栅摄谱仪.通过分析条件的优化地质硅酸盐样品的方法Ag检出限达到0.0069ug/g,Sn检出限达到0.133ug/g,B检出限达到0.568.可以满足地质1∶25万化探要求.仪器性能得到了很大提升.

摘要： 采用最新推出的紫外波段灵敏CMOS传感器,构建基于FPGA高速同步采集系统,结合Ebert-Fastic光学系统及三透镜光路,研制全谱式交直流电弧发射光谱仪,取代1m平面光栅摄谱仪.通过分析条件的优化地质硅酸盐样品的方法Ag检出限达到0.0069ug/g,Sn检出限达到0.133ug/g,B检出限达到0.568.可以满足地质1∶25万化探要求.仪器性能得到了很大提升.

摘要： 采用最新推出的紫外波段灵敏CMOS传感器,构建基于FPGA高速同步采集系统,结合Ebert-Fastic光学系统及三透镜光路,研制全谱式交直流电弧发射光谱仪,取代1m平面光栅摄谱仪.通过分析条件的优化地质硅酸盐样品的方法Ag检出限达到0.0069ug/g,Sn检出限达到0.133ug/g,B检出限达到0.568.可以满足地质1∶25万化探要求.仪器性能得到了很大提升.

摘要： 利用正面熔池图像信息对于实施焊接质量自动控制有着重要意义。本研究将CMOS视觉传感器应用于GMAW(Gas metal arc welding)焊接中，通过对传感器硬件电路进行改进，实现了熔池图像任意时刻的高速采集以及灰度压缩的可控，得到了高质的熔池图像。在此基础上采用维纳滤波、Ostu阈值分割算法对熔池图像进行预处理，实现熔池图像的边界分割。借助形态学算法和Prewitt算法实现了熔池图像与阴极雾化区图像的分离及熔池图像边缘信息的提取，为GMAW焊接自动化奠定了基础。

摘要： 利用正面熔池图像信息对于实施焊接质量自动控制有着重要意义。本研究将CMOS视觉传感器应用于GMAW(Gas metal arc welding)焊接中，通过对传感器硬件电路进行改进，实现了熔池图像任意时刻的高速采集以及灰度压缩的可控，得到了高质的熔池图像。在此基础上采用维纳滤波、Ostu阈值分割算法对熔池图像进行预处理，实现熔池图像的边界分割。借助形态学算法和Prewitt算法实现了熔池图像与阴极雾化区图像的分离及熔池图像边缘信息的提取，为GMAW焊接自动化奠定了基础。

摘要： 一种彩色滤光片，所述彩色滤光片包括：红色像素，其中波长为400nm的光的透射率为15％以下，并且波长为650nm的光的透射率为90％以上；绿色像素，其中波长为450nm的光的透射率为5％以下，并且波长在500nm至600nm的范围内的光的透射率为90％以上；和蓝色像素，其中波长为450nm的光的透射率为85％以上，波长为500nm的光的透射率为10％至50％，并且波长为700nm的光的透射率为10％以下。

摘要： 一种CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器，包括第一复位电路，输出端与光电二极管的负极耦接，适于在一个曝光周期内开启关闭两次；光电二极管，正极与地耦接；第一传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第一存储节点耦接，控制端输入第一控制信号；第二传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第二存储节点耦接，控制端输入第二控制信号；第一存储节点，与第一传输晶体管的输出端耦接；第二存储节点，与第二传输晶体管的输出端耦接。上述方案能够减少CMOS图像传感器拍摄LED灯光时产生图像伪影，提高CMOS图像传感器的动态范围。

摘要： 一种彩色滤光片，所述彩色滤光片包括：红色像素，其中波长为400nm的光的透射率为15％以下，并且波长为650nm的光的透射率为90％以上；绿色像素，其中波长为450nm的光的透射率为5％以下，并且波长在500nm至600nm的范围内的光的透射率为90％以上；和蓝色像素，其中波长为450nm的光的透射率为85％以上，波长为500nm的光的透射率为10％至50％，并且波长为700nm的光的透射率为10％以下。

摘要： 本公开实施例提供一种电容器、CMOS图像传感器的制备方法及CMOS图像传感器。所述电容器的制备方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有具有间隔且电学相连的第一垫和第二垫；所述衬底上形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层内形成有沟槽，所述第一层间介质层上及所述沟槽内的侧壁和底部形成有电容层，所述电容层包括位于最下层的第一极板层以及最上层的第二极板层，所述沟槽内被所述电容层填充后形成第一开口；形成刻蚀缓冲层；去除所述第一开口之外区域的刻蚀缓冲层和电容层，暴露出第一层间介质层；以及形成第二层间介质层，在所述第二层间介质层内形成第一导电通道和第二导电通道，分别与所述沟槽底部的第二极板层和所述衬底内的第二垫电学相连。

摘要： 本发明提供了一种CMOS图像传感器的列shading校正方法及CMOS图像传感器，校正方法包括如下步骤：S1：根据CMOS图像传感器的像素单元的列数选取若干个节点列；S2：上电读取像素单元的第一帧遮黑行，获取若干个节点列对应的遮黑行的数值；S3：根据节点列以及对应的遮黑行的数值获取横坐标为列数纵坐标为遮黑行数值的shading拟合曲线；S4：上电读取CMOS图像传感器的图像行，对输出的图像数据根据shading拟合曲线进行校正处理，得到校正后的图像数据。本发明提供的CMOS图像传感器的列shading校正方法及CMOS图像传感器，可以解决现有技术中CIS的列shading会引起暗电平校正偏差从而导致图像画面局部偏色的问题。

摘要： 本申请实施例提供了一种CMOS图像传感器测试方法、装置及CMOS图像传感器测试机，涉及半导体测试技术领域。其中，该方法包括：通过应用层，响应于获取到的测试指令，向驱动层发送电压控制指令；通过驱动层，响应于电压控制指令，控制开关矩阵单元导通第一连接；当DUT处于工作状态，通过应用层，向驱动层发送测试指令；通过驱动层，控制开关矩阵单元根据测试指令导通第二连接和/或第三连接；通过应用层与驱动层的交互，基于第二连接对DUT进行图像测试，或者，基于第三连接对DUT进行电性测试。本申请实施例可以解决相关技术中利用通用ATE测试机搭配图像采集卡的组合方案测试CMOS图像传感器存在测试成本高的问题。

摘要： 本发明提供一种CMOS图像传感器的形成方法及CMOS图像传感器，其中，所述CMOS图像传感器包括：转移晶体管、复位晶体管、复合晶体管；所述复合晶体管由源跟随晶体管和行选通晶体管所组成，用于实现源跟随晶体管、行选通晶体管的功能；其中，所述复合晶体管的栅极区域为两栅结构，两栅结构之间直接通过氧化层进行间隔，从而可以在节省面积的同时，提高器件的速度。

摘要： 本发明提供了一种CMOS图像传感器的校对办法及装置、CMOS图像传感器模组。其中，所述CMOS图像传感器的校对办法，包括：提供CMOS图像传感器模组，所述CMOS图像传感器模组包括：待校正的CMOS图像传感器和镜头，所述镜头的光心正对所述CMOS图像传感器感光区；提供固定亮度的光源，对准所述镜头的正上方；启动CMOS图像传感器，使之进入正常工作状态；调整所述CMOS图像传感器的参数，当输出图像的中心区域亮度为满量程亮度的1/2~2/3时，抓取此时的输出图像作为测试图像；采集所述测试图像的数据，通过计算处理得到镜头衰减补偿参数。本发明提出的一种CMOS图像传感器的校对方法，解决了CMOS图像传感器模组镜头衰减存在一致性差异的问题。

摘要： 一种CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器，包括第一复位电路，输出端与光电二极管的负极耦接，适于在一个曝光周期内开启关闭两次；光电二极管，正极与地耦接；第一传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第一存储节点耦接，控制端输入第一控制信号；第二传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第二存储节点耦接，控制端输入第二控制信号；第一存储节点，与第一传输晶体管的输出端耦接；第二存储节点，与第二传输晶体管的输出端耦接。上述方案能够减少CMOS图像传感器拍摄LED灯光时产生图像伪影，提高CMOS图像传感器的动态范围。

摘要： 本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有栅氧化层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处形成有氧空位；对所述多晶硅栅极进行P型离子注入；对所述多晶硅栅极进行氟离子注入以使氟离子占据所述氧空位，并去除所述掩膜层。进一步的，本发明还提供一种CMOS图像传感器，包括：衬底、栅氧化层以及多晶硅栅极，其中，所述多晶硅栅极中注入的氟离子占据所述多晶硅栅极和所述栅氧化层的交界处的氧空位。对所述多晶硅栅极进行氟离子注入可以使得所述氟离子占据所述氧空位并与所述多晶硅栅极的硅原子形成共价键，改善多晶硅栅极和所述栅氧化层交界处的晶格缺陷，从而改善CMOS图像传感器的随机噪声缺陷。